2022年全球半导体制造设备销售额创1076亿美元新高
2022年全球半导体制造设备出货金额相较于2021年的1026亿美元增长5%，创下1076亿美元的历史新高
台积电3nm家族最新进度：N3E已有多家大客户采用 N3P已完成认证
台积电日前分享了公司3nm（N3）家族最新进度。其中，N3E已按计划于去年第四季开始量产，目前N3E已有多家大客户采用；N3P制程计划今年下半年量产，已完成认证，良率表现已接近N3E。
博世将获美芯片补贴扩产SiC半导体
据媒体报道，美国商务部13日宣布，已与德国汽车零部件供应商博世达成初步协议，向其提供至多2.25亿美元补贴，用于在加州生产碳化硅（SiC）功率半导体。
赛微电子出售瑞典Silex控股权
据赛微电子官微披露，6月13日，赛微电子宣布重大资产交易计划，拟向Bure、Creades等七名交易方转让公司所持有的瑞典Silex Microsystems AB（以下简称“瑞典Silex”）45.24%股份
德国蔡司中国台湾首座创新中心即将启用
据消息，6月12日，蔡司宣布其位于新竹科学园区，斥资超过3亿元新台币打造的首座台湾创新中心将于6月18日落成。
存储芯片价格已较去年同期上涨约50% 报告称或还将持续上涨
据消息，存储芯片是半导体市场最主要的细分领域，主要分为闪存和内存。数据显示，今年以来存储芯片价格已较去年同期上涨约50%。某存储企业负责人表示，从2023年年底开始，半导体存储产业逐步进入上行周期，今年已多次收到上游存储芯片厂提高合约价的通知。有报告显示，存储芯片价格或还将持续上涨，预计今年第二季度DRAM内存新品合约价格将上涨13%至18%。
台积电总裁魏哲家访ASML 引发联想外界猜测可能改变心意
台积电先前一再表示，艾司摩尔（ASML）的高数值孔径极紫外光机台（High-NA EUV），太过昂贵，2026年前使用没有太大的经济效益，但日前台积电总裁魏哲家密访ASML总部，让外界不禁猜测，台积电是否改变心意。
SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E内存 带宽为上代1.4倍
据消息，SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示，当前业界HBM技术已经到了新的水平，行业需求促使SK海力士将加速开发过程，最早在2026年推出HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。
日本Rapidus拟建全自动2nm芯片工厂，大幅提升交付速度
据外媒报道，日本Rapidus正致力于在日本北部打造一座前所未有的芯片工厂。Rapidus总裁小池淳义表示，该工厂计划引入机器人和人工智能技术，以构建一条全自动化的2nm芯片生产线，旨在满足日益增长的先进人工智能应用需求，缩短交货时间。
北京RISC-V芯片龙头企业奕斯伟计算递表港交所，冲刺“RISC-V第一股”
5月30日，北京RISC-V芯片龙头企业奕斯伟计算正式递表港交所，拟冲刺“RISC-V第一股”，聚焦智能终端与具身智能场景。
长电科技申请电感封装结构专利
据国家知识产权局信息显示，江苏长电科技股份有限公司申请一项名为“一种电感封装结构、相应的制备方法及封装板结构”，公开号CN202410209578.1，申请日期为2024年2月。
新增50项？韩媒：韩国将扩大“关键战略技术清单”
据韩联社报道，韩国产业通商资源部于4月18日表示，韩国将把50项与材料、零部件和设备领域相关的先进技术列入国家“关键战略技术清单”，以培育能够获得卓越全球竞争力的企业
SK海力士大连公司增资至31亿美元
据天眼查APP，日前，爱思开海力士半导体（大连）有限公司发生工商变更，注册资本由28亿美元增至31亿美元，增幅约10.71%。
盛美上海推出三款面板级先进封装新产品
据消息，日前，盛美上海在投资者互动平台表示，第三季度，公司推出了三款面板级先进封装的新产品，包括水平式电镀设备、边缘刻蚀设备和负压清洗设备。
深圳平湖实验室国际首发研制8英寸4°倾角4H-SiC上高质量GaN外延
据深圳平湖实验室官微消息，近日，深圳平湖实验室在GaN/SiC集成领域取得突破性进展，在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延（如图1）
TCL科技拟收购深圳华星半导体21.53%股权
据消息，3月3日，TCL科技集团股份有限公司发布公告称，拟通过发行股份及支付现金的方式购买深圳市重大产业发展一期基金有限公司持有的深圳华星半导体显示技术有限公司21.5311%股权，并募集配套资金。
台积电美国厂发生爆炸 造成至少一人重伤
据媒体报道，当地时间5月15日下午，台积电亚利桑那州凤凰城的工厂发生爆炸，消防队因厂方通报危险有害物而前往救援。
