Rapidus 2nm制程测试工厂将于2025年4月启动
据外媒报道，日本初创代工企业Rapidus的CEO 小池淳义（Atsuyoshi Koike）在受访时表示，Rapidus将于2025年4月开设其2nm测试工厂。
英飞凌上季度营收36.32亿欧元环比跌2% 将对雷根斯堡工厂软裁员
英飞凌近日公布了截至3月31日的2024财年第二财季财报。英飞凌上季度实现36.32亿欧元营收，环比下降2%，同比下降12%。
三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
据消息，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。
湖北百视特半导体项目正式投产
据消息，近日，湖北百视特半导体科技有限公司年产3000万个COB制程高端摄像头模组项目，在枝江市电子信息产业园正式投产。
昂科技术亮相SEMICON China 2025：半导体测试设备实现新突破
作为半导体烧录及测试设备的领军企业，深圳市昂科技术有限公司（以下简称“昂科技术”）携创新产品、关键技术及解决方案亮相本次展会。
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后摩尔时代，先进封装作为突破摩尔定律的一个重要方向，市场前景广阔，将成为半导体行业增长的新拐点。
4nm→2nm，三星或升级美国德州泰勒晶圆厂制程节点
根据韩国媒体Etnews的报导，晶圆代工大厂三星正在考虑将其设在美国德州泰勒市的晶圆厂制程技术，从原计划的4纳米改为2纳米，以加强与台积电美国厂和英特尔的竞争。消息人士称，三星电子最快将于第三季做出最终决定。
玻芯成玻璃基半导体特殊工艺生产线项目设备搬入
据消息，10月28日，玻芯成（重庆）半导体科技有限公司（简称玻芯成）举行国内首条玻璃基半导体特色工艺生产线核心设备搬入仪式，顺利搬入涪陵高新区（综保区）电子信息标准化厂房，预计11月安装调试设备并实现单台设备投产，全产线预计明年上半年投产。
中国在新兴芯片领域产生最多论文 难以透过出口管制打击
一份分析报告指出，中国目前在未来运算硬件基础研究领域产出最多的研究成果。这项由乔治城大学新兴技术观察项目 (Emerging Technology Observatory，ETO) 进行的研究发现，如果这些研究能够发展成商业应用，美国可能很快就会发现，难以透过出口管制来维持其在高效能微芯片设计和生产方面的竞争优势。
英伟达CEO黄仁勋：预计今年Blackwell架构芯片将带来大量收入
据消息，英伟达CEO黄仁勋表示，预计今年Blackwell架构芯片将带来大量收入；Blackwell架构芯片将于二季度发货，并将于三季度增产；预计预计本季度对Hopper架构芯片的需求将不断增加。
存储芯片价格已较去年同期上涨约50% 报告称或还将持续上涨
据消息，存储芯片是半导体市场最主要的细分领域，主要分为闪存和内存。数据显示，今年以来存储芯片价格已较去年同期上涨约50%。某存储企业负责人表示，从2023年年底开始，半导体存储产业逐步进入上行周期，今年已多次收到上游存储芯片厂提高合约价的通知。有报告显示，存储芯片价格或还将持续上涨，预计今年第二季度DRAM内存新品合约价格将上涨13%至18%。
北科大携手新紫光，打造面向1nm制程集成电路新赛道
据北京科技大学官微消息，近日，北京科技大学与新紫光集团签约战略合作协议。双方将聚焦先进制程集成电路的前瞻技术和关键核心技术研究，开展科技创新、成果转化、人才培养等全方位合作。
浙江大学集成电路学院与芯启源、芯云晟建立合作伙伴关系
4月15日，浙江大学集成电路学院与芯启源电子科技有限公司、芯云晟电子科技有限公司签约
中国芯片：同增40%
近日，据国家统计局数据显示，3月份，规模以上工业增加值同比实际增长4.5%（增加值增速均为扣除价格因素的实际增长率）。
长电科技申请电感封装结构专利
据国家知识产权局信息显示，江苏长电科技股份有限公司申请一项名为“一种电感封装结构、相应的制备方法及封装板结构”，公开号CN202410209578.1，申请日期为2024年2月。
报名通道开启｜扇出面板级封装合作论坛（FOPLP 2025)
针对TGV全球现有和未来技术产业趋势，聚焦当下热点，破解产业难题，推动TGV玻璃基板技术面向下一代人工智能芯片。由中科院微电子所、IEEE EPS 、未来半导体主办的第二届国际玻璃通孔技术创新与应用论坛(ITGV 2025)将于2025年6月26-27日在深圳隆重举行。
鸿海布局第四代化合物半导体
近日，鸿海研究院半导体所，携手阳明交大电子所，双方研究团队在第四代化合物半导体的关键技术上取得重大突破，提高了第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 在高压、高温应用领域的高压耐受性能，为未来高功率电子元件开辟了新的可能性。
