据消息,三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前,8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨,这主要是因为地震影响美光内存产能,短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外,HBM内存需求旺盛,在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下,通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。
半导体业内人士表示,台积电3nm产能供不应求,上游IC设计公司开始传出涨价消息。供应链透露,高通Snapdragon 8 Gen 4以台积电N3E打造,较上一代报价激增25%,不排除引发后续涨价趋势。但业内也指出,涨价幅度合理,因为相较5nm,3nm每片晶圆成本价格大约就贵了25%,且这一涨幅还未考虑整体投片数量、设计架构等因素。