民德电子拟参与浙江广芯微电子4.9180%股权转让竞拍

11月14日,民德电子发布公告称,公司拟使用自有/自筹资金参与竞拍丽水市绿色产业发展基金有限公司(简称“丽水绿色基金”)持有的浙江广芯微电子有限公司(简称“广芯微电子”)4.9180%的股权,起拍底价3550万元。

总投资30亿元,齐力半导体先进封装项目(一期)工厂启用

据消息,11月23日,齐力半导体先进封装项目(一期)工厂在浙江省绍兴市柯桥区正式启用。活动上,齐力半导体先进封装研究院揭牌,齐力半导体和高通量算力芯片公司中科声龙、西安电子科技大学机电工程学院完成合作签约。

台积高雄第三座2纳米厂来了

台积电高雄第一座2纳米厂施工中,第二座2纳米厂也已启动,第三座高雄P3厂用地17.22公顷,24日通过高雄市都市计划委员会变更为甲种工业区,未来再通过环评、土污解除列管之后,即可申请建照动工兴建第三座2纳米厂。

台积电协同旗下创意拿下SK海力士订单

据消息,继台积电独家代工英伟达、超微等科技巨头AI芯片之后,传出台积电协同旗下特殊应用IC设计服务厂创意,取得SK海力士在HBM4的关键基础介面芯片委托设计案订单。预期最快明年设计定案,将依高效能或低功耗不同,分别采用台积电12纳米及5纳米生产。 ​

三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料

据消息,三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料,并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利,将能够在特定条件下表现出铁电性,有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期,3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。​

全球两大存储厂新动作

AI浪潮之下,高容量、高性能的HBM正是存储行业当下火热的“明星”技术,受下游驱动,HBM市况正供不应求,产值持续攀升,存储原厂纷纷加强布局。

晶合集成业内首颗1.8亿像素全画幅CIS芯片成功试产

据晶合集成官微消息,近期,晶合集成与国内先进设计公司思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅(2.77英寸)CIS(CMOS图像传感器),为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择,推动全画幅CIS进入发展新阶段。