PI官宣收购Odyssey半导体资产
自Power Integrations (PI) 官网获悉，5月7日，PI宣布收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商奥德赛半导体技术公司(Odyssey)的资产。
国家火炬中心固安半导体产业基地揭牌运营
据消息，8月20日，国家火炬中心固安半导体产业基地正式揭牌，固安半导体核心零部件产业园开园运营。
英特尔与台积电联手开发多晶片封装芯片
9月22日，英特尔宣布，与台积电携手，打造全球首款符合Chiplet互连产业联盟（UCIe）标准的多晶片封装芯片，当中包含英特尔与台积电各自生产的IC
国家知识产权局：将修改完善集成电路布图设计保护条例
修改完善集成电路布图设计保护条例，适应大规模集成电路发展需要，助力芯片产业做大做强，服务数字经济更好发展
消息称台积电2nm制程下周将试产 较市场预期大幅提前
台积电竹科宝山的首座2nm厂于第二季度开始装机，在设备商与供应链厂商全力配合下，下周将开始试产，市场预期为第四季度。为了应对AI订单需求，高雄2nm厂也紧锣密鼓施工中。
德州仪器日本会津工厂开始生产GaN芯片，自有产能将提升四倍
自德州仪器官网获悉，日前，德州仪器公司（TI）宣布已开始在日本会津工厂生产基于氮化镓(GaN)的功率半导体。随着会津工厂的投产，结合其在德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造能力，德州仪器的内部GaN基功率半导体制造能力将翻四倍。
美国将向Absolics发放7500万美元先进芯片封装补贴
美国商务部表示，计划向Absolics拨款7500万美元，用于在佐治亚州建造一座12万平方英尺的工厂，为该国的半导体行业供应先进材料。
SK海力士：今年HBM芯片占公司DRAM芯片销售比重预计达两位数
SK海力士CEO郭鲁正3月27日表示，预计用于AI芯片组的HBM芯片在公司DRAM芯片销售中所占比重将从去年的个位数上升至今年的两位数
喆晶睿研一站式良率提升实验室平台项目开工
据消息，近日，合肥喆晶睿研半导体科技有限公司国产化制造一站式良率提升实验室平台项目正式开工，项目建成投用后，将为集成电路产业强链、延链、补链提供有力支撑。
鸿海布局第四代化合物半导体
近日，鸿海研究院半导体所，携手阳明交大电子所，双方研究团队在第四代化合物半导体的关键技术上取得重大突破，提高了第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 在高压、高温应用领域的高压耐受性能，为未来高功率电子元件开辟了新的可能性。
SK海力士计划在清州M15X工厂新建DRAM生产基地
自SK海力士官网获悉，4月24日，SK海力士宣布，为应对AI半导体需求的急剧增长，计划扩大AI基础设施核心组件HBM等下一代DRAM的生产能力。
台积电3月营收1454.08亿元新台币 月减10.9%
4月10日，台积电公布的财报显示，该公司3月营收为1454.08亿元新台币，年减15.4%，月减10.9%。今年1-3月合并营收为5086.3亿元新台币，年增3.6%
广立微集成电路EDA产业化基地项目结顶
据广立微官微消息，8月21日，位于杭州市滨江区的广立微集成电路EDA产业化基地项目举行了结顶仪式。
英特尔与新思科技深化合作，提供基于英特尔先进制程节点的领先IP
英特尔表示，IFS是英特尔IDM 2.0战略的关键支柱，与新思科技的合作无疑是实现IDM 2.0转型目标的重要里程碑，将有助于芯片设计公司充分利用Intel 3和Intel 18A制程节点的优势
高通宣布收购Sequans的4G物联网技术
据高通、Sequans官方消息，近日，高通（Qualcomm）与Sequans联合宣布，双方已达成最终协议，高通将收购Sequans的4G物联网技术。该交易须符合惯例成交条件，包括法国监管机构的批准。
台积电协同旗下创意拿下SK海力士订单
据消息，继台积电独家代工英伟达、超微等科技巨头AI芯片之后，传出台积电协同旗下特殊应用IC设计服务厂创意，取得SK海力士在HBM4的关键基础介面芯片委托设计案订单。预期最快明年设计定案，将依高效能或低功耗不同，分别采用台积电12纳米及5纳米生产。
美国拟斥资110亿美元建设芯片设计和工程设施网络
美国政府将建立一个由先进计算机芯片设计和工程设施组成的网络，计划焦点是斥资110亿美元用于研发，以增强美国的经济和国家安全
