投资百亿!日本电装与富士电机联手扩产SiC半导体

自日本电装(Denso)、富士电机官方获悉,日本经济产业省已批准日本电装与富士电机共同申请的“半导体供应保障计划”,将为双方共同投资的碳化硅(SiC)半导体项目提供补贴。该项目投资额达2116亿日元(约合人民币102亿元),补助金额最高达705亿日元(约合人民币34亿元)。

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

据消息,三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前,8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨,这主要是因为地震影响美光内存产能,短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外,HBM内存需求旺盛,在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下,通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。​

进入倒计时丨共赴亮点纷呈的大湾区国际传感器盛会

2023年3月29日-31日,深圳国际传感器与应用技术展览会携500+行业领袖、10+重点展区与地区展团、1000+参展参会企业,联同20+全球传感器发展、先进传感器制造、工业互联网、汽车电子等话题,力求为行业呈上一场高质量精彩盛会。

消息称三星下代400+层 V-NAND 2026年推出

据韩媒报道,根据其掌握的三星半导体存储路线图,三星电子将于2026年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过400,而预计于2027年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。

日本政府将向Rapidus投资13亿美元,力推2027年量产2nm芯片

日本政府正加速推进本土尖端芯片制造业的发展,计划在2025财年向芯片制造商Rapidus投资2000亿日元(约合12.9亿美元),以刺激私营部门的进一步投资和融资。这一举措将使政府在公司治理中拥有更多发言权,与此前的补贴模式形成鲜明对比。

总投资15亿元,长进光子项目签约落户光谷

据消息,4月24日,东湖高新区管委会与武汉长进光子技术股份有限公司(下简称“长进光子”)签订合作协议,长进光子高性能特种光纤生产基地及研发中心项目落户光谷。

艾佛光通项目1号厂房封顶

据广州市科技局官微消息,日前,艾佛光通项目1号厂房主体结构顺利封顶正式进入装饰及机电安装阶段,标志着广州5G芯片产业的又一重大进展。