SK海力士计划在清州M15X工厂新建DRAM生产基地
自SK海力士官网获悉，4月24日，SK海力士宣布，为应对AI半导体需求的急剧增长，计划扩大AI基础设施核心组件HBM等下一代DRAM的生产能力。
传三星2nm SF2工艺初始良率达30%
据韩媒报道，三星电子近日正在为旗下自研处理器Exynos 2600投入大量资源，以确保其按时量产，且已在试产中获得初步成功，其2nm工艺（SF2）的良率达到了高于预期的30%。
三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
据消息，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。
晶合集成光刻掩模版下线
据消息，今日，由晶合集成生产的安徽省首片半导体光刻掩模版成功亮相，不仅填补了安徽省在该领域的空白，进一步提升本土半导体产业的竞争力，更标志着晶合集成在晶圆代工领域成为台积电、中芯国际之后，可提供资料、光刻掩模版、晶圆代工全方位服务的综合性企业。
中国科学家在半导体领域获突破
近日，中国科学院大学教授周武课题组与山西大学教授韩拯课题组、辽宁材料实验室副研究员王汉文课题组、中山大学教授侯仰龙课题组、中国科学院金属研究所研究员李秀艳课题组等合作，提出了一种全新的基于界面耦合的p型掺杂二维半导体方法。
安森美宣布收购CQD传感器技术公司SWIR Vision Systems
据消息，近日，安森美（onsemi）宣布已完成对SWIR Vision Systems®的收购，后者已成为安森美的全资子公司，其技术精湛的团队将并入安森美智能感知事业群，并继续在北卡罗来纳州运营。
美国将限制中国经第三国购买AI芯片
据香港《南华早报》12日报道，美国拜登政府计划于12月底前采取新措施，限制中国从第三方国家获取先进人工智能（AI）芯片，特别是用于训练AI模型的绘图处理器（GPU）。此举旨在填补现有漏洞，控制美国产品扩散，确保美国在全球AI领域的领先地位。
三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
据消息，三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。
晶镓半导体入驻新一代半导体公共服务平台项目
据消息，近日，济南市半导体、空天信息产业高价值技术成果本市转化对接会在历城区国家超级计算济南中心成功举办。
英伟达GB200供不应求 追单日月光、京元电等封测厂
据消息，英伟达GB200与B系列人工智能芯片获得客户大量导入，先前大举追加台积电先进制程投片量后，追单效应蔓延至后段封测厂，日月光投控、京元电运营大爆发。消息人士透露，京元电来自英伟达添加订单爆满，还需为此挪移更多产能才能满足英伟达需求。
SK海力士一季度运营利润远高于预期
据消息，SK海力士一季度季销售额12.43万亿韩元，分析师预期12.11万亿韩元；一季度运营利润2.89万亿韩元，分析师预期1.8万亿韩元；
国家火炬中心固安半导体产业基地揭牌运营
据消息，8月20日，国家火炬中心固安半导体产业基地正式揭牌，固安半导体核心零部件产业园开园运营。
新思科技与Arm强强联手，加快下一代移动SoC开发
新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，基于Arm 2023全面计算解决方案（TCS23），加强双方在人工智能增强型设计方面的合作
三星电子工会宣布发起全国大罢工
有媒体报道称，韩国韩国科技大厂三星电子工会今天宣布发起全国大罢工，并表示在改善薪酬和休假福利等要求得到满足前，将会持续奋战。
倒计时5天丨2024慕尼黑华南电子展同期论坛议程大全
慕尼黑华南电子展(electronica South China)将于2024年10月14-16日在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办。
美国将向Absolics发放7500万美元先进芯片封装补贴
美国商务部表示，计划向Absolics拨款7500万美元，用于在佐治亚州建造一座12万平方英尺的工厂，为该国的半导体行业供应先进材料。
群创光电布局FOPLP、TGV等半导体前瞻技术
据台媒报道，日前，群创光电宣布为深耕半导体领域，先后布局扇出型面板级封装（FOPLP）、玻璃通孔（TGV）、硅光子等半导体前瞻技术，预计养成500名半导体大军。
