成都华微：发布32位高速高可靠MCU芯片
据消息，12月3日，成都华微发布公告称，公司研发的32位高速高可靠MCU“HWD32H743”于近日发布。
半导体用SiC部件材料研发制造基地项目落户惠山经开区
据“无锡惠山发布”公众号消息，8月27日，半导体用SiC部件材料研发制造基地项目落户惠山经开区。
投资百亿！日本电装与富士电机联手扩产SiC半导体
自日本电装(Denso)、富士电机官方获悉，日本经济产业省已批准日本电装与富士电机共同申请的“半导体供应保障计划”，将为双方共同投资的碳化硅（SiC）半导体项目提供补贴。该项目投资额达2116亿日元（约合人民币102亿元），补助金额最高达705亿日元（约合人民币34亿元）。
三星将出售西安芯片厂旧设备及产线
据韩媒报道，三星近期将开始销售前端和后端生产线的旧设备，其中包括位于中国西安的NAND工厂。报道称，三星近期正在半导体部门（DS）实施大规模成本削减和产线调整，并正在考虑出售其中国半导体生产线的旧设备。预计出售程序将于明年正式开始，销售的设备大部分是100级3D NAND设备。自去年以来，三星电子一直致力于将其西安工厂的工艺转换为200层工艺。
印度首个自研芯片将在今年投产
日前，印度电子与信息技术部长阿什温・瓦伊什诺（Ashwini Vaishnaw）宣布，印度首个自主研发的半导体芯片将于今年投入生产。
恒垚通鑫碳中和新材料高新产业园项目（一期）开工
据消息，日前，恒垚通鑫半导体材料有限公司碳中和新材料高新产业园项目（一期）开工活动举行。
美光计划投资约300亿元在日本新建DRAM厂
据报道，美光科技计划投入6000亿-8000亿日圆（约合人民币277-369亿元）在日本广岛县兴建新厂，用于生产DRAM芯片。
甬江实验室信息材料与微纳器件制备平台正式投用
据甬江实验室官微消息，12月30日，甬江实验室信息材料与微纳器件制备平台（以下简称“微纳平台”）举行研发线运行仪式。
电子堆叠新技术造出多层芯片
据科技日报消息，近日，美国麻省理工学院团队在最新一期《自然》杂志上介绍了一种创新的电子堆叠技术。该技术能显著增加芯片上的晶体管数量，从而推动人工智能（AI）硬件发展更加高效。通过这种新方法，团队成功制造出了多层芯片，其中高质量半导体材料层交替生长，直接叠加在一起。
清华大学集成电路学院集成电路标准研究所成立
12月24日，清华大学集成电路学院集成电路标准研究所正式成立。清华大学集成电路学院集成电路标准研究所致力于打造高水平标准化人才培养体系，加强标准化教育，开展前沿技术标准研究与国际合作，提升国际标准化参与度，从而推动产学研深度融合，服务集成电路事业发展。
英特尔将德国工厂启动推迟至2029年
据外媒报道，英特尔已经决定延长马格德堡兴新建晶圆厂项目的暂停时间，推迟到2029至2030年才会重新启动项目。
环球晶圆将获美4.06亿美元补助
据外媒报道，美国商务部17日宣布将根据《芯片和科学法案》，向环球晶圆（GlobalWafers）美国子公司提供高达4.06亿美元的直接补助。
粤芯半导体12英寸晶圆三期项目正式通线
12月28日，粤芯半导体新建12英寸集成电路模拟特色工艺生产线项目（三期）通线仪式在粤芯三期项目园区举行。
原子半导体项目签约落户无锡高新区
据无锡高新科技官微消息，8月26日，原子半导体项目正式签约。该项目也是香港“产学研1+计划”项目落户无锡的“第一单”，不仅将为无锡高新区乃至无锡市集成电路产业更好地强链补链延链提供创新活力，更是开创了市区联动“投资+人才政策”支持香港创新项目孵化和落地无锡的新路径。
总经费86.4亿元，AMD台湾研发中心建设计划核定通过
据台媒报道，AMD获核定通过在中国台湾地区设立亚洲首座研发中心，核定总经费86.4亿元，台湾方面将补助3成。
