三星推FO-PLP 2.5D先进封装技术追赶台积电

韩媒Etnews报道,三星为了追上台积电先进封装人工智能 (AI) 芯片,将推出FO-PLP的2.5D先进封装技术吸引客户。三星DS部门先进封装( AVP) 团队开始研发将FO-PLP先进封装用于2.5D芯片封装,可将SoC和HBM集成到硅中介层,构建成完整芯片

南京桑德斯:投资30亿元硅基芯片研发生产项目开工

桑德斯硅基芯片研发生产项目位于浦口经济开发区,总投资30亿元,计划建设2.5万平方米的生产厂房和配套设施,未来将研发、生产大功率半导体硅基芯片、器件等产品。项目投资主体为桑德斯微电子器件(南京)有限公司,专业从事大功率半导体芯片和器件的研发、设计、制造、销售,是三星、LG的一级供应商,也是波音、空客、特斯拉和通用电气的重要供应商,拥有27项专利,已获得江苏省“高新技术企业”、南京市“专精特新”“培育独角兽”企业称号。项目建成后,预计实现产值约25亿元,税收约2亿元,可带动就业约500人。

12月12日芯闻:德国将成为欧洲最大半导体生产国;华为与三星达成5G专利交叉授权协议;闻泰科技68亿元采购代工晶圆;总投资116亿元芯片与器件项目落户西安;复旦大学研发出新型晶体管

闻泰科技12月9日公告,公司拟与鼎泰匠芯开展合作,公司(或下属子公司)将在12英寸功率器件和功率IC晶圆的开发和制造领域向鼎泰匠芯采购代工晶圆。合同总金额预计将达到68亿元。据公告显示,双方确认,将在12英寸功率器件和功率IC晶圆的开发和制造领域开展相关合作,

天科合达8英寸SiC衬底二期项目开工!

该扩产项目旨在打造行业内领先的智能化生产线,量产8英寸碳化硅衬底。该项目全面投产后,公司的产能将得到显著提升,进一步巩固其在碳化硅衬底市场的领先地位。杨建总经理在致辞中表示: