如东泛半导体产业园三期项目明年初交付使用
相关负责人介绍称，泛半导体产业园三期项目部分标准厂房已经主体封顶，计划5月份全部封顶，整个项目将在2025年初可交付使用。
心芯相连半导体项目临港研发制造中心开工
2月6日，心芯相连半导体先进铜互连设备研发项目临港研发制造中心（以下简称“心芯相连项目”）顺利开工，闵行开发区临港园区再添一“芯”
Semtech携手复旦微电子推出MCU+SX126x参考设计
高性能半导体、物联网系统和云连接服务供应商 Semtech Corporation（纳斯达克股票代码：SMTC）宣布携手上海复旦微电子集团股份有限公司（以下简称“复旦微电子”）推出MCU+SX126x参考设计，为仪表仪器、消防安防、环境检测等应用领域的客户提供更具性价比的解决方案
英伟达与富士康将合作开发自动驾驶汽车
据业内信息，芯片制造商英伟达昨天宣布，将与富士康建立战略合作伙伴关系，共同合作开发自动驾驶汽车平台
上海交通大学集成电路学院揭牌成立
上海交通大学集成电路学院的成立，不仅是上海交通大学坚决贯彻落实国家战略部署、助力上海国际科创中心建设的生动实践，也必将为闵行产业升级和高质量发展，全力打造科学、科技、科创“三科之城”，提供有力支撑、注入全新活力
华润微牵手吉利科技，构建车规级半导体产业合作机制
华润微电子拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化运营能力的IDM半导体企业，产品聚焦于功率半导体、智能传感器与智能控制领域。华润微充分发挥自有MOSFET、IGBT、SiC等产品竞争优势以及全产业链资源，积极推进汽车电子、新能源、工业控制、物联网等高端应用领域布局。
九峰山实验室首发6英寸InP激光器与探测器外延工艺
据九峰山实验室官微消息，近日，九峰山实验室在磷化铟（InP）材料领域取得重要技术突破，成功开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺，关键性能指标达到国际领先水平。
【10月18日芯闻】我国首条光芯片产线明年建成；美调查大厂专利侵权；QCI建光量子芯片；瑞萨收购Steradian
康达新材拟投3.7亿元扩大TFT液晶显示材料项目产能;华大九天拟通过深圳九天收购芯達芯片100%股权;分析师预计苹果将于2024年推出折叠屏iPad ;比亚迪前三季度净利润超过去三年之和
英特尔出售爱尔兰工厂49%股权，获110亿美元资金
据消息，自英特尔（Intel）官方获悉，当地时间6月4日，英特尔宣布与阿波罗公司达成协议，英特尔将以110亿美元的价格出售其位于爱尔兰的 Fab 34 工厂相关合资企业49%的股份。英特尔仍将持有合资企业51%的控股权，保留对 Fab 34 及其资产的全部所有权和运营控制权。该交易预计将于2024年第二季度完成。
长电科技亮相CSPT 2023，分享热点领域创新成果
长电科技亮相CSPT 2023，公司专家分别以“应用于智能计算的先进封装集成”和“先进封装技术在汽车芯片中的应用前景”为主题发表演讲
国内首台大芯片先进封装专用光刻机交付入厂
据消息，4月16日，由广东微技术工业研究院（广东微技术研发中心有限公司，简称“广东工研院”）组织的“曝光时刻——3D异构芯片封装技术研讨会”暨国内首台大芯片先进封装专用光刻机交付入厂仪式在广州市增城区广东越海集成技术有限公司举行。
第10届EEVIA年度中国硬科技媒体论坛暨产业链研创趋势展望研讨会
自2012年以来，EEVIA 已经连续 9 年举办“中国ICT媒体论坛暨产业和技术展望研讨会”，期间来自中国电子、ICT产业、媒体和营销传播等的各界一线专家汇聚一堂，共话当下热门话题，展望未来发展趋势。
CSPT 2026 | ZAS良率专家-中安半导体发布10.5nm灵敏度颗粒缺陷检测设备
未来半导体报道近日，中安半导体新品发布会暨技术交流会在上海举办，会上中安半导体重磅发布新一代 10.5nm 灵敏度颗粒缺陷检测设备，同时全面披露了公司在 3D 集成量测、硅片厂全流程质量管控领域的技术布局与落地成果。会上，中安半导体创始人、董事长曾安博士表示，自 2020 年成立以来，中安半导体始终锚定半导体前道量检测设备这一产业链核心卡点，专注自主研发与技术攻坚，从最初十几人的创业团队，成长为如
1月4日芯闻:芯片过剩持续到23年末；存储芯片市场持续低迷；三星P4和得州工厂建设试产线；长川科技重组长奕科技；国内首个量子人工智能计算中心
三星计划年底前在韩国平泽的P4工厂以及美国得州泰勒工厂建设新的试产线。据悉，位于泰勒工厂的将是一家代工厂并用于生产 5G、人工智能、高性能计算等先进芯片，而 P4工厂则用以生产更高层数的 NAND 存储器以及 4nm/3nm 逻辑芯片。此外，在主生产线顺利的情况下，三星将于2024年的某个时间点进行商业化生产。（
SK海力士清算上海公司并转向无锡，重组中国业务
报道称，SK海力士计划关闭成立于2006年的上海公司，并将重点转移到其半导体制造工厂所在地无锡，作为其在中国的新业务中心。
SK海力士开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM
自SK海力士官网获悉，8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM，将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备，从明年开始供应产品，引领半导体存储器市场发展。
