存储厂商逐鹿HBM3E市场

近日,韩国媒体报道称,三星或将向英伟达独家供应12层HBM3E。报道指出,英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E,后者将向英伟达独家供应12层HBM3E。

关于征集“集成芯片前沿技术科学基础”重大研究计划2024年度项目指南建议的通告

面向国家高性能芯片的重大战略需求,针对集成芯片的重大基础问题,自然科学基金委2023年启动了“集成芯片前沿技术科学基础”重大研究计划,旨在对集成芯片的数学基础、信息科学关键技术和工艺集成物理理论等领域的攻关,促进我国芯片研究水平的提高,为发展芯片性能提升的新路径提供基础理论和技术支撑

新加坡将投建半导体研发制造设施,聚焦先进封装技术

据媒体报道,3月6日,新加坡副总理兼贸工部长颜金勇宣布,新加坡科技研究局将投资近5亿新元,在新加坡半导体技术转化创新中心(NSTIC)增设国家半导体研发制造设施,新设施将于2027年投运。据介绍,该设施最初会聚焦先进封装技术。

英飞凌泰国功率模块组装厂已动工

据报道,日前,英飞凌科技股份公司宣布已在曼谷南部的 Samut Prakan 动工建造新的半导体后端生产基地,用于生产功率模块,以优化和进一步多元化其制造业务。

无锡迪思高端掩模正式通线,首套90nm产品顺利交付

近日,无锡迪思微电子有限公司(以下简称“无锡迪思”)高端掩模项目完成关键设备安装调试,产线顺利贯通,并完成首套90nm高端掩模产品的生产与交付,标志着无锡迪思技术能力实现新跨越,向成为中国大陆技术、产能双领先的开放式掩模公司,又迈出坚实的一步。

事关售华芯片,美方最新表态

12月12日报道,美国商务部长雷蒙多表示,美国政府正与英伟达讨论允许向中国销售AI芯片的议题,但强调英伟达不能把最先进的芯片卖给中企