英伟达GB200供不应求 追单日月光、京元电等封测厂
据消息，英伟达GB200与B系列人工智能芯片获得客户大量导入，先前大举追加台积电先进制程投片量后，追单效应蔓延至后段封测厂，日月光投控、京元电运营大爆发。消息人士透露，京元电来自英伟达添加订单爆满，还需为此挪移更多产能才能满足英伟达需求。
总投资13.8亿元，中巨芯华中基地二期暨电子级硫酸提质扩能项目开工
据湖北工信官微消息，近日，中巨芯华中基地二期暨电子级硫酸提质扩能项目在潜江开工。
康宁计划扩大半导体玻璃基板市场份额 拟准备推芯片封装用玻璃芯
康宁韩国业务总裁Vaughn Hall周三表示，康宁希望利用其特殊的专有技术，扩大其在半导体玻璃基板市场的份额。“我对玻璃基板未来的发展寄予厚望，它似乎比目前芯片封装工艺中广泛使用的有机材料基板更具竞争优势。”
SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E内存 带宽为上代1.4倍
据消息，SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示，当前业界HBM技术已经到了新的水平，行业需求促使SK海力士将加速开发过程，最早在2026年推出HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。
三星和SK海力士正在提高DRAM产量 将恢复至削减前水平
随着全球需求复苏，韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入，有效结束减产。
东芝电子300mm晶圆功率半导体制造工厂竣工
据消息，5月23日，东芝电子器件与存储株式会社（下简称“东芝”）宣布其300mm晶圆功率半导体制造工厂和办公楼竣工。目前将继续进行设备安装，计划在2024财年下半年开始大规模生产。
下半年台积电3nm月产能或达12.5万片 预计2025年Q4量产2nm
台积电目前5/3nm制程产能利用率已达100%，其中3nm为应对各厂商需求加速扩产，下半年月产能将逐步由10万片拉升至约12.5万片。预计2nm最快2025年第四季度量产，目标月产能3万片，随着未来高雄厂区放量，预计竹科、高雄合计月产能达12-13万片。
力积电日本晶圆厂或提前一年投产
力积电与SBI控股在日本宫城县将合建新厂，日前SBI控股会长北尾吉孝透露，有意将新厂生产时间提前1年。
美方宣布对华加征关税，多方回应
日前，美国拜登政府宣布对华加征301关税四年期复审结果，在原有对华301关税基础上，进一步提高对自华进口的电动汽车、锂电池、光伏电池、关键矿产、半导体以及钢铝、港口起重机、个人防护装备等产品的加征关税。
工信部：开展车用芯片、操作系统、高精度传感器等技术攻关
4月19日至21日，工业和信息化部党组成员、副部长辛国斌在上海调研时表示，开展车用芯片、固态电池、操作系统、高精度传感器等技术攻关
英特尔实现光学I/O芯粒的完全集成
据消息，日前，英特尔在2024年光纤通信大会（OFC）上，英特尔硅光集成解决方案（IPS）团队展示了业界领先的、完全集成的OCI（光学计算互连）芯粒，该芯粒与英特尔CPU封装在一起，运行真实数据。
斯达半导取得功率模块专利，增强功率半导体模块的使用寿命
5月31日消息，据国家知识产权局公告，斯达半导体股份有限公司取得一项名为“一种具有银浆烧结层的功率模块”，授权公告号CN221057406U，申请日期为2023年9月。
神盾宣布暂缓与Curious股权交换
7月26日晚间，芯片设计公司神盾集团宣布将在维持股东权益最高原则下，暂缓Curious股权交换。
台积电9月启动半年期MPW服务，首次纳入2nm制程
市场消息指出，晶圆代工龙头台积电即将于9月启动半年一次的MPW服务客户送件。最受瞩目的是有望提供2nm制程选项，显示台积电2025年投产2nm照时程进入准备阶段，借MPW服务吸引下游设计公司。
越摩先进首颗超大尺寸玻璃基板样品完成试制
自越摩先进官微消息，近日，越摩先进首颗超大尺寸玻璃基板样品已试制完成，实现封装工艺全流程自主研发与制造，为高密度封装领域提供了兼具超低翘曲特性和轻质化优势的先进解决方案。
消息称英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能 单台成本超26亿元
ASML截至2025上半年的高数值孔径EUV（High-NA EUV）设备订单由英特尔全部包揽，因此三星和SK海力士2025下半年后才能获得设备。
美国ITC发布对集成电路的337部分终裁
据中国贸易救济信息网消息显示，2024年4月11日，美国国际贸易委员会（ITC）发布公告称，对特定集成电路、包含该电路的移动设备及其组件（调查编码：337-TA-1335）作出337部分终裁：对本案行政法官于2024年3月12日作出的初裁（No.84）不予复审，即基于和解，终止本案调查。
