SK海力士将在HBM生产中采用混合键合技术

据消息,SK海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合,目前半导体封装公司Genesem已提供两台下一代混合键合设备安装在SK海力士的试验工厂,用于测试混合键合工艺。混合键合取消了铜焊盘之间使用的凸块和铜柱,并直接键合焊盘,这意味着芯片制造商可以装入更多芯片进行堆叠,并增加带宽​

我国自主研发量子计算机核心器件成功交付

量子芯片读取保真度和信噪比是量子计算机实用化的关键指标之一。3月27日,中国科技日报记者从安徽省量子计算工程研究中心获悉,合肥本源量子已成功研制出国产阻抗匹配量子参量放大器(IMPA),并交付用户使用

IC-SRDI2026:0.3埃米?imec发布2026先进制程路线图

7月1日,比利时微电子研究中心imec联合台积电、英特尔、三星、ASML、英伟达、AMD等头部企业更新长期芯片技术路线图,完整规划至2046年亚2埃米工艺。报告明确CFET垂直堆叠晶体管是突破平面微缩瓶颈的核心方案,IBM同期0.7nm实验室成果与路线参数高度匹配,散热、成本、三维集成将成为埃米制程量产核心挑战。跨越二十年迭代周期:从纳米迈入埃米时代,器件架构分四代演进当前全球芯片产业正处于GAA

CSPT 2026 | 总投资 26.5 亿元 昭明半导体年产 1 亿只光子器件项目正式通线

近日,昭明半导体(浙江)有限公司年产 1 亿只光子器件项目通线仪式暨订单签约大会在浙江浦江经济开发区正式举行。该项目总投资 26.5 亿元,为浙江省重大产业项目、浙江省生产制造方式转型(制造业数字化转型)示范项目,同时入选浙江省 “千项万亿” 重大建设项目清单,此次正式通线标志着国产高端光子器件的规模化量产能力再上新台阶。本次通线的产线定位于化合物半导体晶圆制造,建成了覆盖外延生长、

存储厂商逐鹿HBM3E市场

近日,韩国媒体报道称,三星或将向英伟达独家供应12层HBM3E。报道指出,英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E,后者将向英伟达独家供应12层HBM3E。

国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产产线投产

据北部之窗消息,3月22日,飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片产线举行投产仪式。这意味着国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产产线在柳州市北部生态新区正式投产,实现了该类芯片的进口替代和自主可控

SK海力士实现1c nm制程DRAM内存量产

据韩媒报道,近日,SK海力士成功完成了1c纳米制程DRAM的批量产品认证,连续多个以25块晶圆为单位的批次在质量和良率上均达到要求,预计SK海力士将在2月初正式启动1c纳米DRAM的量产。