苹果M5芯片或导入台积电SoIC先进封装制程

据台媒报道,此前传出台积电2nm制程将在本周试产,苹果除了将拿下2025年首波产能外,下世代3D先进封装平台SoIC(系统整合芯片)也规划于M5芯片导入并展开量产,2026年预计SoIC产能将出现数倍以上成长。

美国ITC发布对集成电路的337部分终裁

据中国贸易救济信息网消息显示,2024年4月11日,美国国际贸易委员会(ITC)发布公告称,对特定集成电路、包含该电路的移动设备及其组件(调查编码:337-TA-1335)作出337部分终裁:对本案行政法官于2024年3月12日作出的初裁(No.84)不予复审,即基于和解,终止本案调查。

台积高雄第三座2纳米厂来了

台积电高雄第一座2纳米厂施工中,第二座2纳米厂也已启动,第三座高雄P3厂用地17.22公顷,24日通过高雄市都市计划委员会变更为甲种工业区,未来再通过环评、土污解除列管之后,即可申请建照动工兴建第三座2纳米厂。

华天盘古半导体先进封测项目预计2月底搬机

据悉,近日,位于浦口开发区的盘古半导体先进封测项目迎来新进展。据项目负责人透露,该项目于去年6月30日举行奠基仪式,7月打下第一根桩基,10月主体结构完工,预计今年2月底举行搬机仪式。

无锡迪思高端掩模正式通线,首套90nm产品顺利交付

近日,无锡迪思微电子有限公司(以下简称“无锡迪思”)高端掩模项目完成关键设备安装调试,产线顺利贯通,并完成首套90nm高端掩模产品的生产与交付,标志着无锡迪思技术能力实现新跨越,向成为中国大陆技术、产能双领先的开放式掩模公司,又迈出坚实的一步。

全球两大存储厂新动作

AI浪潮之下,高容量、高性能的HBM正是存储行业当下火热的“明星”技术,受下游驱动,HBM市况正供不应求,产值持续攀升,存储原厂纷纷加强布局。

业内人士:英伟达、AMD与日月光讨论面板级扇出先进封装技术

据消息,为解决最新GB200供应问题,除了台积电的CoWoS产能吃紧,供应链业者表示,持成本与效能优势下,日月光正持续驱动面板级扇出先进封装(FOPLP),英伟达、AMD也与其讨论相关业务,不过业者认为,至少要到2025年看到AI需求明显浮现,有望2024年可看到面板级扇出先进封装产品小量生产,2025年下半至2026年才会导入实施该技术,即便FOPLP正式量产,其取代CoWoS的机率不大。

ASMPT与美光联合开发下一代HBM4键合设备

据报道,韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机,用于HBM4生产。美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机,用于生产HBM3E,于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。