三星NAND晶圆投片量趋于保守 产能利用率维持在60%以下
三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升了约30%。
ASMPT与美光联合开发下一代HBM4键合设备
据报道，韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机，用于HBM4生产。美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机，用于生产HBM3E，于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。
重庆两江欣晖硅及碳化硅部件项目投产
据消息，8月21日，重庆市2024年8月重大项目开工暨投产活动活动举行。其中，两江欣晖硅及碳化硅部件项目宣布投产。
三星将使用内部4nm工艺量产下一代HBM4存储芯片
据报道，三星电子已决定使用内部4nm工艺制造下一代HBM4存储芯片中的逻辑芯片。逻辑芯片位于芯片堆栈的底部，是HBM芯片的核心组件之一。
三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
据消息，三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。
台亚宣布分割8英寸GaN产品事业群
5月28日，台亚半导体宣布经股东大会决议，通过了此前提出的8英寸GaN（氮化镓）业务分割计划，并由子公司冠亚半导体承接该业务。同时，台亚总经理衣冠君将转任冠亚半导体总经理，负责台亚集团未来8英寸GaN产品相关业务。
紫光展锐完成新一轮股权融资
据悉，记者从参与紫光展锐新一轮股权融资的知情人士处获悉，紫光展锐董事会已表决通过股权融资决议，宣告新一轮股权融资完成。据悉，本轮融资金额超过40亿元，投资方有上海、北京两地国资平台，工银资本管理有限公司、交银金融资产投资有限公司、人保资本股权投资有限公司等金融机构以及中信建投、国泰君安、弘毅投资。
生成式AI投融资热潮席卷全球
市场研究公司Brainy Insights预测，生成式AI的全球市场将从2022年的86.5亿美元增长到2032年的1886.2亿美元，年均增长率高达36.1%
英伟达计划5年内在台设立研发中心
据报道，6月4日，英伟达（NVIDIA）执行长黄仁勋表示，英伟达仍会持续在台湾地区扩大规模，有意在5年内设立研发中心，可能会在台北、台南、高雄三地择一落脚，并且将雇用上千位工程师，涵盖芯片、软体、系统、人工智能等领域。另外，也将与大学合作进行创新研究。
美国政府宣布计划向英特尔提供近200亿美元激励 支持其在美半导体项目
美国商务部20日宣布，美国政府与英特尔达成一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据美国《芯片与科学法案》向后者提供至多85亿美元直接资金和最高110亿美元贷款，支持后者在美国多州的半导体项目
阿斯麦Hyper-NA EUV售价或超7.24亿美元
近日，据朝鲜日报报道，阿斯麦（ASML）将针对1纳米以下制程，计划在2030年推出更先进Hyper-NA EUV光刻机设备，但可能超过7.24亿美元一台的售价会让台积电、三星、英特尔等半导体晶圆代工厂商望而却步。
台积电3nm家族最新进度：N3E已有多家大客户采用 N3P已完成认证
台积电日前分享了公司3nm（N3）家族最新进度。其中，N3E已按计划于去年第四季开始量产，目前N3E已有多家大客户采用；N3P制程计划今年下半年量产，已完成认证，良率表现已接近N3E。
总投资45亿元，西安8英寸高性能特色工艺半导体芯片生产线项目实现“交地即交证”
据消息，4月19日，西安高新区以“交地即交证”模式向陕西电子芯业时代科技有限公司核发了8英寸高性能特色工艺半导体芯片生产线项目的《土地移交单》和《不动产权证书》。
