英伟达官宣下一代AI芯片架构Rubin，加速迭代进程
6月2日，英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋在台北国际电脑展（COMPUTEX）发表主题演讲。演讲中，黄仁勋宣布将在2025年推出Blackwell Ultra AI芯片。同时，其透露下一代AI平台名称为“Rubin”，该平台基于3nm制程打造，并采用8层HBM4内存，CoWoS-L封装，将于2026年发布。而其升级版Rubin Ultra将支持12层HBM4内存，计划于2027年推出。
ASML和IMEC启用联合High-NA EUV光刻实验室
据消息，自ASML官网获悉，6月3日，比利时微电子研究中心（imec）与阿斯麦（ASML）宣布在荷兰费尔德霍芬（Veldhoven）开设联合High-NA EUV光刻实验室（High NA EUV Lithography Lab），由ASML和imec共同运营。
AMD苏姿丰：锐龙9000系列桌面处理器将于7月上市
据消息，在今日的台北国际计算机展（COMPUTEX）演讲中，AMD首席执行官苏姿丰发布了AMD锐龙9000系列桌面处理器，首搭Zen5架构，第一批产品有Ryzen 9 9950X、Ryzen 9 9900X、Ryzen 7 9700X和Ryzen 5 9600X，将于7月上市。
台亚宣布分割8英寸GaN产品事业群
5月28日，台亚半导体宣布经股东大会决议，通过了此前提出的8英寸GaN（氮化镓）业务分割计划，并由子公司冠亚半导体承接该业务。同时，台亚总经理衣冠君将转任冠亚半导体总经理，负责台亚集团未来8英寸GaN产品相关业务。
中新国际联合研究院和微纳芯材共建半导体材料联合实验室
据消息，5月30日，中新国际联合研究院和广州微纳芯材料科技有限公司共建的半导体材料联合实验室签约暨揭牌仪式在研究院举行。
ST宣布50亿欧元在意新建8英寸SiC工厂
据消息，自意法半导体（STMicroelectronics）官方获悉，当地时间5月31日，意法半导体宣布，将在意大利卡塔尼亚新建一座大批量200mm碳化硅（SiC）工厂，用于功率器件和模块以及测试和封装。新碳化硅工厂的建设是支持汽车、工业和云基础设施应用中碳化硅器件客户向电气化过渡并寻求更高效率的关键里程碑。
昕感科技、尊阳电子合资第三代功率半导体集成电路封装项目落户江阴 总投资近13亿
5月27日下午，北京昕感科技有限责任公司与江苏尊阳电子科技有限公司签订合资协议，成立江苏昕阳电子科技有限公司。江阴市领导王琪、顾文瑜、陈涵杰出席签约仪式。
斯达半导取得功率模块专利，增强功率半导体模块的使用寿命
5月31日消息，据国家知识产权局公告，斯达半导体股份有限公司取得一项名为“一种具有银浆烧结层的功率模块”，授权公告号CN221057406U，申请日期为2023年9月。
科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm
5月29日，科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报，自主研发的电阻长晶炉再次实现突破，成功制备出多颗中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶。
