三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线
据韩媒报道，三星电子已于第四季度在平泽P2厂建立10nm级（1d）的第七代DRAM测试线。
美光公布HBM4、HBM4E最新进展，预计2026年量产
据外媒报道，近日，美光（Micron）公布了下一代HBM4和HBM4E工艺的最新进展，该公司预计将于2026年开始量产。
Manz集团德国公司宣布重组
自Manz官网获悉，日前，Manz集团德国公司宣布将启动重组程序。董事会做出决定拟提交申请启动破产程序，理由是公司资不抵债且负债过高。
三星电子获美47.45亿美元芯片补贴
当地时间12月20日，美国商务部宣布将根据芯片激励计划，向三星电子提供至高47.45亿美元（约合人民币346亿元）的直接资金补贴。
消息称长鑫存储成功量产其DDR5内存芯片
近日，有韩媒报道称，长鑫存储（CXMT）已量产DDR5内存芯片，已有多家DRAM模组厂商已经开始销售基于其DDR5芯片的DRAM模组。
晶华微拟收购智芯微100%股权，拓展MCU产品
据消息，日前，晶华微披露公告称，公司拟使用自有资金2亿元购买芯邦科技持有的智芯微100%的股权。本次交易完成后，智芯微将成为晶华微的全资子公司。
华虹集团换帅，联和投资原董事长接任
12月20日，上海市人民政府印发一项职务任免通知。显示免去张素心的上海华虹（集团）有限公司（下称“华虹集团”）董事长职务，并由秦健担任华虹集团新一任董事长。
喆晶睿研一站式良率提升实验室平台项目开工
据消息，近日，合肥喆晶睿研半导体科技有限公司国产化制造一站式良率提升实验室平台项目正式开工，项目建成投用后，将为集成电路产业强链、延链、补链提供有力支撑。
电子堆叠新技术造出多层芯片
据科技日报消息，近日，美国麻省理工学院团队在最新一期《自然》杂志上介绍了一种创新的电子堆叠技术。该技术能显著增加芯片上的晶体管数量，从而推动人工智能（AI）硬件发展更加高效。通过这种新方法，团队成功制造出了多层芯片，其中高质量半导体材料层交替生长，直接叠加在一起。
Rapidus开始安装日本首台ASML EUV光刻机
自Rapidus官网获悉，12月18日，Rapidus宣布其购入的首台ASML TWINSCAN NXE:3800E光刻机已在*IIM-1工厂交付并开始安装。这也是日本第一台用于大规模生产尖端半导体的EUV（极紫外）光刻系统。
