三星将出售西安芯片厂旧设备及产线
据韩媒报道，三星近期将开始销售前端和后端生产线的旧设备，其中包括位于中国西安的NAND工厂。报道称，三星近期正在半导体部门（DS）实施大规模成本削减和产线调整，并正在考虑出售其中国半导体生产线的旧设备。预计出售程序将于明年正式开始，销售的设备大部分是100级3D NAND设备。自去年以来，三星电子一直致力于将其西安工厂的工艺转换为200层工艺。
官宣了！IC China 2024将于11月18日在北京举行
11月1日下午，第二十一届中国国际半导体博览会（IC China 2024）新闻发布会在北京举行。中国半导体行业协会副理事长兼秘书长张立、中国半导体行业协会执行秘书长王俊杰、北京赛迪出版传媒有限公司总经理宋波出席会议，分别介绍IC China 2024的举办意义、筹备情况、特色亮点，并回答记者提问。发布会由中国半导体行业协会专职副理事长兼书记刘源超主持。发布会披露，IC China 2024由中国
日月光先进封测营收今年翻倍
近日，日月光半导体公布的2024财年第三季度财报显示，公司实现营业收入1601.05亿新台币，同比增长4%；净利润为96.66亿新台币，同比增加10%；稀释后每股收益为2.17新台币元，基本每股收益为2.24新台币元。
西门子斥资106亿美元收购Altair
日前，西门子发布公告称，公司已签署协议，收购工业模拟和分析市场领先的软件提供商 Altair Engineering，交易预计在2025年下半年完成。
第三代半导体检测设备企业国科测试完成数千万融资
10月29日，据天眼查披露消息，第三代半导体检测设备企业苏州国科测试科技有限公司（以下简称：国科测试）近日完成数千万元人民币A轮融资，由鑫霓资产独家投资，本轮融资资金将会用于批量产业化、人才建设、晶圆AOI研发和市场开拓。
消息称三星下代400+层 V-NAND 2026年推出
据韩媒报道，根据其掌握的三星半导体存储路线图，三星电子将于2026年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过400，而预计于2027年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。
总投资超200亿元，长飞先进武汉基地明年5月提前量产通线
据光谷金控官微消息，近日，长飞先进武汉基地传来新进展。相关负责人介绍，该项目今年11月起设备就能进驻厂房，明年年初开始调试，预计5月可以量产通线，随后将开启良率提升和产能爬坡。
玻芯成玻璃基半导体特殊工艺生产线项目设备搬入
据消息，10月28日，玻芯成（重庆）半导体科技有限公司（简称玻芯成）举行国内首条玻璃基半导体特色工艺生产线核心设备搬入仪式，顺利搬入涪陵高新区（综保区）电子信息标准化厂房，预计11月安装调试设备并实现单台设备投产，全产线预计明年上半年投产。
美方发布新规限制对华投资，明年初生效
自美国财政部官网获悉，10月28日，美国财政部发布了一项《最终规则》，确定了《出境令》中确定的受法规约束的国家安全技术和产品的子集包括“半导体和微电子技术、量子信息技术、人工智能技术”三个领域，并将从明年1月2日开始实施。
