台积电熊本第二座晶圆厂建设或延期
据日媒报道，台积电日本子公司JASM位于熊本县的第二晶圆厂动工建设时间已从2025年一季度调整为2025年内，不过该晶圆厂2027年投产的计划没有发生改变。
称三星与长江存储合作，新一代NAND将采用中国企业专利
据韩媒报道，三星已确认从V10（第10代）开始，将使用长江存储(YMTC)的专利技术，特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。双方已签署3D NAND混合键合专利的许可协议，达成合作。
西部数据宣布完成闪存业务分拆计划
当地时间2月24日，西部数据（Western Digital）宣布成功完成公司闪存业务的分拆计划，该部门将重新以独立的闪迪（Sandisk）公司的名义运营。完成分拆后，西部数据将再次完全专注于机械硬盘HDD业务。
龙芯中科：今年将推出新的服务器产品3C6000系列
大半导体产业网消息，龙芯中科近期披露的投资者关系活动记录表显示，从需求上看，行业客户对服务器的需求要远大于党政客户对服务器的需求。
英特尔18A工艺计划上半年开始流片
自英特尔官方网站消息，近日，英特尔更新了其半导体Foundry相关页面的介绍，并宣布其Intel 18A工艺准备就绪，计划于今年上半年开始流片。
华大九天研发基地项目落地西安高新区
据西安高新官微消息，2月18日，西安华大九天有限公司（以下简称“西安华大”）在西安高新区正式揭牌成立。
铠侠与闪迪合作研发出332层NAND闪存
自铠侠官网获悉，日前， 铠侠公司和闪迪公司宣布率先推出了最先进的3D闪存技术，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度树立了行业标杆。
英飞凌获欧盟援助，将在德累斯顿建新半导体厂
据新华社报道，欧盟委员会2月20日批准一项总额9.2亿欧元（约合人民币69.76亿元）的国家援助计划，支持德国英飞凌科技公司在德国德累斯顿建设一家芯片制造工厂，并称这项援助计划将加强欧洲在半导体技术领域的供应安全、韧性和技术自主性。
富加镓业4英寸VB法氧化镓衬底性能达到国际先进水平
据杭州光学精密机械研究所官微消息，杭州光机所孵育企业杭州富加镓业科技有限公司（以下简称富加镓业）在垂直布里奇曼（VB）法氧化镓晶体生长领域取得重大突破，经测试单晶质量达到国际先进水平，现同步向市场推出晶体生长设备及工艺包。
