超微3纳米晶圆代工有望交付三星
据消息，近期韩国证券业界分析认为，三星电子可能从超微获得3纳米晶圆代工订单，除了考量台积电的产能，超微在ITF World 2024活动中的发言也可看出端倪。超微提到将从3nm开始采用环栅（GAA）晶体管结构，以提高功效和性能。目前，三星电子是唯一在3纳米使用GAA结构的企业。
三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
据消息，三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。
南通越亚FCBGA封装载板生产制造项目（二期）即将封顶
据报道，目前，南通越亚半导体有限公司FCBGA封装载板生产制造项目（二期）工程正在如火如荼地建设中。相关负责人透露，预计项目今年7月底开始封顶，最终会在9月底结束。建成后将推动崇川区集成电路产业结构进一步优化、能级进一步提升。
美光计划投资约300亿元在日本新建DRAM厂
据报道，美光科技计划投入6000亿-8000亿日圆（约合人民币277-369亿元）在日本广岛县兴建新厂，用于生产DRAM芯片。
奥芯明首个研发中心在临港开幕，布局中国半导体后道产业
5月27日，奥芯明半导体设备技术(上海)有限公司首个研发中心在临港新片区开幕。奥芯明是ASMPT为满足中国市场需求而成立的本土品牌，以ASMPT的先进技术为底座，致力于开发和提供国产化半导体封测设备与解决方案。临港新片区党工委副书记吴晓华、张江集团董事长袁涛，以及ASMPT 集团首席执行官黄梓达和奥芯明首席执行官许志伟共同出席见证开幕典礼。
SK海力士计划为HBM添加计算、缓存、网络内存等功能
据业内人士透露，SK海力士计划为HBM添加大量新功能，例如计算、缓存、网络内存等。为此，该公司已开始获取半导体设计资产（IP）。
美光将在广岛建立新芯片厂 最快在2027年底投入运营
据消息，美光科技计划在日本广岛县建造一家新的DRAM芯片工厂，目标是最快在2027年底投入运营。总投资估计在6000-8000亿日元之间。
两项集成电路国家标准正式发布，即将实施
据国家市场监督管理总局（国家标准管理委员会）发布2024年第6号公告，《大规模集成电路（LSI）-封装-印制电路板共通设计结构》和《集成电路封装设备远程运维状态监测》两项国家标准正式发布，分别为8月1日、11月1日实施。
韩美半导体将扩建HBM的TC粘合机生产线
据韩媒报道，近日，韩美半导体宣布将以约1.5亿美元收购仁川西区朱安国家工业园区的全部土地和建筑物，其目的是扩建HBM生产所需的TC粘合机生产线。
