机构：明年三星电子HBM市场占有率将超过30%
预测显示，三星电子明年在高带宽存储器（HBM）市场的份额将超过30%。尽管今年上半年三星电子表现不佳，落后于SK海力士和美光，但分析师预测，随着其下一代产品HBM4全面进入英伟达供应链，其销量将有所增长。
康盈半导体存储芯片总部及产业化基地项目开工
据衢州智造新城官微消息，9月29日，浙江康盈半导体科技有限公司（下简称“康盈半导体”）存储芯片总部及产业化基地项目在智造新城东港片区正式开工，将建设集先进存储芯片设计、研发、封测于一体的综合性生产基地。
普赛斯高端光电芯片装备研发生产基地项目投产
据消息，日前，武汉普赛斯电子股份有限公司（简称“普赛斯电子”）暨全资子公司武汉普赛斯仪表有限公司（简称“普赛斯仪表”）乔迁仪式在东湖综保区举行。
南亚科定制内存项目有望2026年取得验证
据台媒报道，南亚科技正在AI DRAM加速布局，力争在三大原厂全力争夺HBM市场的环境下，从定制领域分得一杯羹。
美光确认HBM4将在2026年Q2量产
9月23日，美光公布了其2025财年第四季度（6月至8月）财务报告，并举行了财报电话会议。
SK海力士韩国龙仁半导体集群一期晶圆厂动工
自SK海力士官方获悉，2月24日，SK海力士韩国京畿道龙仁半导体集群内的SK海力士一期晶圆厂正式破土动工。
美光计划投资约300亿元在日本新建DRAM厂
据报道，美光科技计划投入6000亿-8000亿日圆（约合人民币277-369亿元）在日本广岛县兴建新厂，用于生产DRAM芯片。
上海11家重点实验室筹建立项
自上海市科学技术委员会官网消息，根据《上海市2024年度“科技创新行动计划”重点实验室（第一批）申报指南》与《上海市重点实验室建设与运行管理办法》（沪科规〔2022〕6号）有关规定，协同各推荐部门评审论证，现启动“上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室”等11家重点实验室筹建立项。
台积电通过296亿美元资本预算，应对长期产能规划
根据消息，8月13日，台积电召开会议，批准了2024年第二季度业务报告及财务报表，并通过了两项预算议案。
