安森美与伍尔特电子携手升级高精度电力电子应用虚拟设计
功率损耗模型生成工具现已包含无源元件，可更精准地进行设计建模，帮助客户加快产品上市中国上海，2024年11月14日——安森美(onsemi)和伍尔特电子（Würth Elektronik）宣布，伍尔特电子的无源元件数据库已集成到安森美独特的PLECS®模型自助生成工具&n
SK海力士拟投资近500亿元建设芯片工厂
自SK Hynix官网获悉，7月26日晚间，SK海力士发表声明，宣布将投资约9.4万亿韩元（约合人民币492.56亿元）在韩国龙仁市建设当地首座Fab厂和业务设施。
连橙时代半导体芯片、模组研发生产基地及企业总部项目签约
据消息，7月5日，宁乡高新区在长沙举行连橙时代半导体芯片、模组研发生产基地及企业总部项目签约仪式。
傲迪特半导体携手鼎华智能启动MES项目
据消息，4月15日，傲迪特半导体（南京）有限公司（以下简称“傲迪特半导体”）携手南京鼎华智能系统有限公司（以下简称“鼎华智能”）举行MES项目启动大会。
复旦团队突破纳秒级超快闪存集成工艺和极限微缩
据复旦大学官网消息，人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术，当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒级，无法支撑应用需求。
尼康官宣旗下首款半导体后端工艺用光刻机
自尼康官网获悉，10月22日，尼康（Nikon）宣布其正在开发一款分辨率为1微米（L/S）、高产能的数字光刻设备，用于先进的半导体封装应用。该产品计划在尼康2026财年内发布。
国内首次，镓仁半导体实现氧化镓晶体生长技术重大突破
据镓仁半导体官微消息，今年10月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）在氧化镓晶体生长方面实现新的技术突破，基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备(非铱坩埚)，采用垂直布里奇曼法(VB)成功生长出2英寸氧化镓单晶，在国内尚属首次。
