台积电首家日本晶圆厂年底前量产 明年AI芯片或仍供不应求
台积电日本子公司JASM总裁堀田佑一表示，子公司台积电在日本熊本县的首家晶圆厂将于今年底前开始量产。据台积电位于日本的研发中心3D IC RD Center Japan指出，因产能追不上需求，明年AI芯片仍将供不应求。
世界先进将动工兴建新加坡12寸厂 机构预估2029年将开始贡献获利
晶圆代工厂世界先进（VIS）今年下半年新加坡12寸厂将开始动工兴建，机构预估，世界先进12寸厂2027年试产，但已有过半产能掌握订单下，估计2028年达损平、2029年就将开始贡献获利。世界先进先前预期，新厂约自2026年底开始移入设备，2027年开始小量生产，预估2027年的月产能约1万片， 2028年为月产能3万片，2029年总产能达到单月5.5万片产能。目前已有超过五成以上的产能获得客户长期的承诺。
消息称三星电子已启动4nm制程HBM4逻辑芯片试产
据韩媒报道，近日，三星电子在其内存业务部已完成HBM4内存逻辑芯片的设计，且Foundry已根据该设计正式启动了4nm制程的试生产。
第三代半导体检测设备企业国科测试完成数千万融资
10月29日，据天眼查披露消息，第三代半导体检测设备企业苏州国科测试科技有限公司（以下简称：国科测试）近日完成数千万元人民币A轮融资，由鑫霓资产独家投资，本轮融资资金将会用于批量产业化、人才建设、晶圆AOI研发和市场开拓。
SK海力士将开发性能高30倍HBM
据韩媒报道，8月19日，SK海力士副社长柳成洙（Ryu Seong-su）在论坛上公开表示，SK海力士要开发比目前的HBM性能高30倍的产品。
镓仁半导体实现VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂
据镓仁半导体官微消息，日前，杭州镓仁半导体有限公司基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行工艺优化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功实现4英寸氧化镓单晶的导电型掺杂，为下游客户提供更加丰富的产品选择，助力行业发展。
新思科技携手英特尔推动基于18A工艺的埃米级芯片设计
近日，在英特尔代工Direct Connect 2025上，新思科技宣布与英特尔在EDA和IP领域展开深度合作，包括利用其通过认证的AI驱动数字和模拟设计流程支持英特尔18A工艺；为Intel 18A-P工艺节点提供完备的EDA流程支持；实现业界首个商用PowerVia背面供电技术代工方案。
德州仪器日本会津工厂开始生产GaN芯片，自有产能将提升四倍
自德州仪器官网获悉，日前，德州仪器公司（TI）宣布已开始在日本会津工厂生产基于氮化镓(GaN)的功率半导体。随着会津工厂的投产，结合其在德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造能力，德州仪器的内部GaN基功率半导体制造能力将翻四倍。
晶合集成与思特威签署深化战略合作协议
据合肥日报、思特威官方消息，2月24日，晶合集成与思特威 现场签署长期深化战略合作协议，双方将在工艺开发、产品创新、产能供应等方面加大合作力度，共同推动国产CIS工艺迈向新高度，增强高端CIS芯片国产供应能力。
