三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
据消息，三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。
浙江大学集成电路学院与芯启源、芯云晟建立合作伙伴关系
4月15日，浙江大学集成电路学院与芯启源电子科技有限公司、芯云晟电子科技有限公司签约
至讯创新完成A轮融资，官宣19nm NAND闪存芯片
据至讯创新官微消息，近日，至讯创新科技（无锡）有限公司（以下简称“至讯创新”）宣布成功完成亿元级A轮融资。本轮融资由多家知名投资方共同参与，旨在进一步推动公司在AI存储芯片领域的技术创新和市场扩张。
万润科技与华中科大共建高可靠存储联合实验室
据消息， 3月10日，万润科技在投资者互动平台透露，长江万润半导体与华中科技大学集成电路学院共建高可靠存储联合实验室。
晶合集成三期项目实施主体增资至95.9亿
据天眼查APP显示，近日，合肥皖芯集成电路有限公司发生工商变更，新增建信金融资产投资有限公司、交银金融资产投资有限公司、工银投资旗下工融金投新兴产业股权投资基金合伙企业等为股东，注册资本由约5000万元增至约95.9亿元，同时多位高管发生变更。
三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
据消息，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。
广东：大力推动刻蚀机等光芯片关键装备研发和国产化替代
据消息，广东省人民政府办公厅印发《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案(2024—2030年)》。
SK海力士定制HBM4基础裸片将从5nm升级至3nm
据韩媒报道，由于客户对先进存储器的需求，SK海力士打算改变原来的计划，以3nm取代5nm，采用更先进的工艺生产HBM4基础裸片，预计HBM4将在2025年下半年开始供货
福建晶旭半导体项目二期已完成主体厂房建设
据消息，目前，位于上杭工业园区金铜产业园的福建晶旭半导体科技有限公司二期项目已完成主体厂房建设，正在进行内外墙的装修，预计年后进入机电暖通、安装工程及精装修工程。
力森诺科竹科厂房出售， 封测厂硅格16.8亿元新台币取得
半导体封测厂矽格5月9日傍晚公告，子公司矽格联测得标中国台湾力森诺科竹科厂房标售案，交易总金额16.8亿元新台币（单位下同），以应对未来运营需求。
