消息称三星电子已启动4nm制程HBM4逻辑芯片试产
据韩媒报道，近日，三星电子在其内存业务部已完成HBM4内存逻辑芯片的设计，且Foundry已根据该设计正式启动了4nm制程的试生产。
富士康和英伟达宣布建立尖端计算中心
据消息，在COMPUTEX 2024上，富士康科技集团与英伟达宣布将建立先进计算中心。该设施以英伟达GB200服务器为中心，旨在彻底改变富士康的智能制造、电动汽车 (EV) 和智能城市平台。
SK海力士将开发性能高30倍HBM
据韩媒报道，8月19日，SK海力士副社长柳成洙（Ryu Seong-su）在论坛上公开表示，SK海力士要开发比目前的HBM性能高30倍的产品。
世界先进将动工兴建新加坡12寸厂 机构预估2029年将开始贡献获利
晶圆代工厂世界先进（VIS）今年下半年新加坡12寸厂将开始动工兴建，机构预估，世界先进12寸厂2027年试产，但已有过半产能掌握订单下，估计2028年达损平、2029年就将开始贡献获利。世界先进先前预期，新厂约自2026年底开始移入设备，2027年开始小量生产，预估2027年的月产能约1万片， 2028年为月产能3万片，2029年总产能达到单月5.5万片产能。目前已有超过五成以上的产能获得客户长期的承诺。
德州仪器日本会津工厂开始生产GaN芯片，自有产能将提升四倍
自德州仪器官网获悉，日前，德州仪器公司（TI）宣布已开始在日本会津工厂生产基于氮化镓(GaN)的功率半导体。随着会津工厂的投产，结合其在德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造能力，德州仪器的内部GaN基功率半导体制造能力将翻四倍。
第三代半导体检测设备企业国科测试完成数千万融资
10月29日，据天眼查披露消息，第三代半导体检测设备企业苏州国科测试科技有限公司（以下简称：国科测试）近日完成数千万元人民币A轮融资，由鑫霓资产独家投资，本轮融资资金将会用于批量产业化、人才建设、晶圆AOI研发和市场开拓。
台积电中科二期园区1.4纳米扩厂延期
据台媒，经“中科管理局”证实，台积电计划延后位于中国台湾中科二期园区的1.4nm先进制程工厂建设。为配合台积电规划，中科二期园区将延期到年底交地。
西电与深圳国际量子研究院签署人才培养战略合作框架协议
据西电物理学院官微消息， 为进一步推进教育科技人才一体统筹发展，深入探索基础拔尖创新人才培养模式，3月17日，学校与深圳国际量子研究院在西安国际会议中心签署了人才培养战略合作框架协议。
