国芯科技：基于RISC-V架构的边缘侧AI MCU新产品内测成功
据消息，国芯科技8月15日晚间发布公告称，近日，公司研发的基于 RISC-V 架构的边缘侧 AI MCU 新产品“CCR4001S”于内部测试中获得成功。
芯原股份拟定增募资18亿元投向Chiplet研发及IP产业化
12月22日晚间，芯原股份披露定增预案，拟向特定对象发行A股股票募集资金总金额不超过18.08亿元（含本数），募资净额将用于AIGC及智慧出行领域Chiplet解决方案平台研发项目和面向AIGC、图形处理等场景的新一代IP研发及产业化项目
全国首条！华鑫微纳8英寸MEMS晶圆全自动生产线正式投产
日前，第七届智能传感器产业发展大会在蚌埠开幕。活动上，安徽华鑫微纳集成电路有限公司公开宣布，8英寸晶圆生产线首批产品成功串线，这标志着全国首条8英寸MEMS晶圆全自动生产线在蚌埠正式投产。
复旦大学团队成功研制硅光集成高阶模式复用器芯片
据科技日报消息，日前，复旦大学信息科学与工程学院张俊文研究员、迟楠教授与相关研究团队开展合作，通过精确设计和优化，将多维复用技术引入片上光互连架构，不仅显著提升了数据传输吞吐量，同时在功耗和延迟方面表现卓越，具备极强的扩展性和兼容性，适用于多种高性能计算场景。
铠侠目标2027年3D NAND闪存实现1000层堆叠
据外媒报道，近期，铠侠（Kioxia）公布了其3D NAND闪存技术路线图，目标在2027年实现1000层堆叠。
中科院金刚石基氧化镓异质集成材料与器件研究获突破性进展
据中国科学院上海微系统所官微消息，上海微系统所异质集成XOI团队和南京电子器件研究所超宽禁带半导体研究团队合作，在金刚石基氧化镓异质集成材料与器件领域取得突破性进展。
152亿美元，印度批准三大半导体制造商建厂
3月1日，印度电子和信息技术部部长阿什维尼·维什瑙宣布，印度政府批准价值152亿美元的半导体制造厂投资计划，其中涵盖三大半导体厂的建设
Counterpoint：台积电2nm制程量产将延迟至2026年底
Counterpoint最新报告指出，预期台积电3nm旗舰智能手机应用将在2024年下半年成长，但2nm制程量产将延迟至2026年底，届时将随着苹果iPhone18系列的推出而登场。
镁伽科技获中信、浦发100亿元授信额度
据镁伽科技官微消息，近日，镁伽科技正式宣布获得中信银行和浦发银行总计100亿元人民币的综合授信支持，资金将主要用于支持镁伽在全球范围内的技术与产品研发、业务运营及国际化拓展。
全芯微半导体芯片高端封测项目年底投产
近日，全芯微半导体芯片高端封测项目2、3号楼已经封顶，1号楼主体工程全速推进。相关负责人称，预计2025年底实现投产达效。
