存储厂商逐鹿HBM3E市场

近日,韩国媒体报道称,三星或将向英伟达独家供应12层HBM3E。报道指出,英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E,后者将向英伟达独家供应12层HBM3E。

国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产产线投产

据北部之窗消息,3月22日,飓芯科技氮化镓半导体激光器芯片产线举行投产仪式。这意味着国内首条氮化镓半导体激光器芯片量产产线在柳州市北部生态新区正式投产,实现了该类芯片的进口替代和自主可控

果纳半导体海宁生产基地投产仪式举行

7月1日,上海果纳半导体海宁生产基地投产仪式隆重举行。海宁基地的投产将使果纳的生产能力大幅度提高,在拓展产能、满足订单快速提升需求的同时,也将为公司后续产品的研发和量产提供有力的平台支撑。

英特尔德国晶圆厂量产时间或推迟至2030年

据媒体报道,英特尔此前在德国马格德堡投资300亿欧元(约合人民币2364.45亿元)的晶圆厂建设项目,原定于2023年下半年开工建设Fab 29.1和Fab 29.2两座工厂。但目前受诸多因素影响,近日有消息称开工时间再延后,意味着量产时间或将推迟至2030年。

SK海力士实现1c nm制程DRAM内存量产

据韩媒报道,近日,SK海力士成功完成了1c纳米制程DRAM的批量产品认证,连续多个以25块晶圆为单位的批次在质量和良率上均达到要求,预计SK海力士将在2月初正式启动1c纳米DRAM的量产。

国家自然科学基金委部署集成芯片科学基础重大研究计划

12月16日至17日,第一届集成芯片和芯粒大会在上海召开,国家自然科学基金委介绍“集成芯片前沿技术科学基础”重大研究计划。该重大研究计划布局我国在集成电路领域的发展新途径,聚焦在集成芯片技术路径中的新问题,旨在通过集成电路、计算机科学、数学、材料和物理等学科的深度交叉融合,在集成芯片理论和关键技术的源头创新取得突破