存储厂商逐鹿HBM3E市场

近日,韩国媒体报道称,三星或将向英伟达独家供应12层HBM3E。报道指出,英伟达最快将从9月开始大量购买三星电子的12层HBM3E,后者将向英伟达独家供应12层HBM3E。

外交部回应美补贴"禁止与中企超10万美元交易"规则:将维护中企正当合法权益

遏制打压阻挡不了中国发展的步伐,只会增强中国实现高水平科技自立自强的决心和能力。为维护一己霸权之私,绑架国际正常经贸合作,终将作茧自缚。我们希望各方从自身长远利益和公平公正市场原则出发,恪守国际经贸规则,同中方共同维护全球产业链供应链稳定,维护各方共同利益

SK海力士开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM

自SK海力士官网获悉,8月29日,SK海力士宣布,全球首次成功开发出采用第六代10纳米级(1c)工艺的16Gb DDR5 DRAM,将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备,从明年开始供应产品,引领半导体存储器市场发展。

ASMPT与美光联合开发下一代HBM4键合设备

据报道,韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机,用于HBM4生产。美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机,用于生产HBM3E,于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。