SK海力士计划10月量产12Hi HBM4内存
据韩媒报道，SK海力士计划今年10月开始正式量产HBM高带宽内存的最新迭代版本 12Hi HBM4，这一生产策略是因应英伟达计划明年推出的 "Rubin" 架构AI GPU的需求。
陶氏公司任命黄映雪为大中华区总裁
陶氏公司（纽交所代码：DOW）宣布，陶氏包装与特种塑料大中华区资深销售总监黄映雪女士，于2025年6月1日起担任陶氏公司大中华区总裁。
AMD收购Enosemi，加码CPO共封装光学
据报道，当地时间5月28日，AMD宣布已完成对硅光子学初创企业Enosemi的收购。
联电与英特尔合作开发12nm制程，预计2027年量产
据报道，在5月28日举行的联电（UMC）年度股东大会，联电首席财务官刘启东指出，与处理器大厂英特尔合作的12nm节点制程，为联电最重要的发展计划之一，预计量产的时间点将会落在2027年。
基本半导体拟募资用于产能扩张，赴港上市
日前，深圳基本半导体股份有限公司（简称“基本半导体”）正式向港交所递交上市申请，中信证券、国金证券（香港）及中银国际担任联席保荐人，这也是中国碳化硅功率器件首家赴港提交上市申请的厂商。
日月光推出具备TSV的FOCoS-Bridge先进封装技术
据台媒报道，日月光宣布推出具备硅通孔(TSV)的扇出型基板上晶片桥接技术(FOCoS-Bridge)，推动人工智慧(AI)技术发展，并加速AI对全球生活的深远影响。
联电与英特尔合作开发12nm制程 2027年量产
在5月28日的年度股东大会上，联电（UMC）首席财务官刘启东宣布，与英特尔（Intel）合作开发的12nm制程是联电当前最重要的发展计划之一，预计将在2027年实现量产。此项合作自2024年初宣布以来，旨在应对快速增长的移动通信和网络基础设施市场。
三星目标今年7~8月通过英伟达HBM3E验证
《科创板日报》28日讯，三星目标在2025年7~8月通过英伟达的12层HBM3E品质验证测试。
