当地时间6月3日，美光宣布率先推出基于第六代10nm级制程（美光命名为1γ）的LPDDR5x DRAM内存。该种工艺特征尺寸约为11到12纳米，也被称为1c DRAM。
美光指出，1γ节点的LPDDR5X是其首款采用极紫外光刻（EUV）技术的移动内存解决方案。可实现业界一流的10.7Gbps数据传输速率，同时相较上代1β产品节省20%功耗。此外，其DRAM模块厚度达到了最低的0.61mm，相较美光1β LPDDR5x降低14%，为超薄与折叠屏智能手机留出了更大设计空间。
目前，美光正向部分合作伙伴提供16GB容量的1γ LPDDR5x样品，并计划提供从8GB到32GB的多种容量选择。预计搭载该内存的产品将在2026年陆续上市，主要面向旗舰级智能手机市场。
