据台媒报道,三星位于韩国华城的DRAM第17产线(Line 17)正推动制程转换,预计从DDR4转向14/16纳米等先进制程,配合HBM与下一代DRAM量产。三星将以平泽P4厂为主轴,自2025年下半年起进行大规模设备扩充投资,以提升成本竞争力。
此外,韩媒报道称,三星电子在DRAM内存领域率先导入干式光刻胶 (Dry PR) 技术,将应用于到即将正式推出的第6代10纳米级工艺 (1c nm) 中。
据台媒报道,三星位于韩国华城的DRAM第17产线(Line 17)正推动制程转换,预计从DDR4转向14/16纳米等先进制程,配合HBM与下一代DRAM量产。三星将以平泽P4厂为主轴,自2025年下半年起进行大规模设备扩充投资,以提升成本竞争力。
此外,韩媒报道称,三星电子在DRAM内存领域率先导入干式光刻胶 (Dry PR) 技术,将应用于到即将正式推出的第6代10纳米级工艺 (1c nm) 中。