据韩媒报道，近日，SK海力士在M15X工厂启动了一条试验生产线，以1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺生产DRAM芯片，以满足市场不断增长的HBM需求。
报道称，SK海力士打算11月之前搬入设备，并在今年第四季度举行设施落成仪式，初始产能目标是每月10,000片晶圆。
此前，SK海力士宣布已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4的开发，并在全球首次构建了量产体系。
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据韩媒报道，近日，SK海力士在M15X工厂启动了一条试验生产线，以1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺生产DRAM芯片，以满足市场不断增长的HBM需求。
报道称，SK海力士打算11月之前搬入设备，并在今年第四季度举行设施落成仪式，初始产能目标是每月10,000片晶圆。
此前，SK海力士宣布已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4的开发，并在全球首次构建了量产体系。