深圳平湖实验室官微消息，该实验室在1200V级GaN功率器件领域取得关键突破：首次在8英寸Si衬底实现超8μm低翘曲GaN外延，成功验证1200V科研小器件电性，关键性能达国际先进水平，为数据中心800V母线供电、工业电机驱动等产业核心元器件自主供应奠定基础。

据悉，研发团队依托实验室8英寸硅基GaN科研中试平台，通过厚膜外延与场板优化，攻克两项产业化关键难题：一是实现8英寸Si衬底超8μm GaN外延层制备，纵向耐压超2.25kV，翘曲＜30μm；二是研制出1200V增强型Si基GaN HEMT科研小器件，阈值电压＞2V，漏极击穿电压＞2kV，性能优异。

目前，1200V级GaN HEMT器件正推进工程样品封装与可靠性验证，首批封装样品预计2026年Q3发布。该成果突破8英寸Si衬底超厚GaN外延壁垒，证实了器件在高频大功率高压场景的可行性，将助力我国第三代半导体功率器件产业化发展。

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