6月30日，据台湾《电子时报》援引全球半导体产业链一线消息，三星电子晶圆代工业务正式重启代号SF1.4的1.4纳米先进工艺商业化开发工作，已同步向蚀刻、沉积、量测、光刻等上下游核心设备厂商下达需求，要求合作伙伴提前开展该节点专属设备定制研发，为后续工艺研发、中试与试产完成供应链前置配套筹备。
本次项目重启并非全新立项，而是三星内部研发资源优先级调整后的回归。产业资料显示，三星早年规划SF1.4于2027年推进量产，后为集中研发人力、设备预算攻坚2纳米（SF2/SF2P）GAA工艺良率爬坡，阶段性放缓1.4纳米节点推进节奏。
伴随2026年上半年2nm产线良率持续改善、产能利用率稳步上行，三星重新更新SF1.4完整技术路线，并向应用材料、泛林半导体、ASML等核心设备供应商同步最新工艺设计指标，协调定制设备开发周期，匹配下一代精细GAA晶体管、多层金属互连、背面供电架构的制造要求。
一、产线与核心设备方案落地NRD-K研发园区，高NA EUV为核心工艺支撑
按照三星最新供应链沟通规划，整套SF1.4研发与试产产线将落地三星NRD-K全球顶尖先进半导体研发综合体，ASML已先期向该基地交付高NA（NA0.55）EUV光刻机，这款设备将成为SF1.4关键图形化层的核心生产工具，也是三星首次在量产节点规模化导入高NA EUV设备，以此突破传统低NA EUV多重曝光带来的精度、成本瓶颈。
高NA EUV单台设备造价约4亿美元，可大幅简化亚2nm节点的光刻工序、提升图形保真度，适配1.4nm级纳米片GAA晶体管精细刻蚀需求。三星要求设备厂商基于其SF1.4工艺参数改造硬件架构、迭代配套工艺配方，覆盖薄膜沉积、干法蚀刻、缺陷检测、量测全流程设备，形成完整适配新一代先进节点的设备组合方案。
产业链人士表示，当前仅处于设备前置研发阶段，设备厂商需要1–2年周期完成样机开发、工艺匹配验证，再交付三星进行产线联调，整体前置筹备周期较长，也意味着三星正式敲定下一代先进节点长期开发时间表，供应链配套进入实质落地阶段。
二、全球1.4nm级先进制程竞赛格局清晰，三星补齐高端算力代工布局
当前全球头部晶圆厂均已发布1.4nm等效节点完整量产路线图，AI大算力芯片长期稳定需求成为各家加码先进制程的核心驱动力：
1.台积电A14工艺：规划2027年底启动风险试产，2028年下半年规模化量产，暂未大规模导入高NA EUV，依托低NA EUV搭配DTCO工艺优化推进开发；
2.英特尔14A工艺：目标2028年试产、2029年量产，全线绑定高NA EUV、第二代RibbonFET晶体管与PowerVia背面供电技术；
3.三星SF1.4工艺：经本次路线调整后，行业一致预期量产窗口顺延至2029年，采用4层纳米片GAA架构+高NA EUV组合方案，形成差异化技术路线竞争优势。
业内半导体分析机构TrendForce相关人士指出，全球AI服务器、高端移动端、车载高阶算力芯片订单持续扩容，先进制程长期供需偏紧，头部设计厂商普遍存在双代工、三代工供应链分散需求。三星重启SF1.4开发，核心战略目标是稳固自身高端逻辑代工席位，补齐从3nm、2nm至1.4nm完整GAA先进制程梯队，承接AI大算力芯片中长期增量订单，缓解当前台积电先进产能高度集中带来的客户分流压力。
三、项目当前阶段与信息边界说明
需要明确的是，本次仅为产业链设备配套预研启动，三星官方暂未对外发布SF1.4风险试产、大规模量产的官方精确时间节点，后续厂区建设、客户流片、IP生态配套等规划仍待三星晶圆代工SAFE Forum官方披露。
截至6月30日，三星电子并未就SF1.4工艺重启、设备开发相关消息发布正式公告，本次全部信息均来源于半导体设备产业链一线、《电子时报》《The Bell》等产业媒体供应链渠道采访内容，后续技术指标、量产时间表存在随市场与研发进度动态调整的可能性。
中长期来看，随着2nm节点良率持续释放、SF1.4供应链配套逐步落地，三星将建成覆盖成熟制程、3nm/2nm GAA、1.4nm高NA EUV先进节点的完整制造能力矩阵，进一步提升全球先进晶圆代工市场的多元化供给能力，匹配全场景AI硬件长期增长需求。
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