最近，联电（UCM）宣布开始为客户提供一种新的22纳米工艺。该过程已经进行了多年，最终准备投入生产。联电已经采用FinFET器件引入了14纳米工艺，该工艺是该公司28纳米工艺的后续节点。新的22纳米节点旨在为客户提供对成本更敏感的的迁移路径。
尽管联电在其现有的28nm和最近的14nm工艺之间插入了新节点，但该节点本身更接近28nm。它仍然是平面CMOS工艺，但在28nm工艺上可减少约10-15％的面积。相比之下，联电的14纳米工艺提供了2倍的密度。UMC的22ULP（超低功耗）变体提供了设计规则兼容性，并且掩模数量与其28纳米工艺相同。该公司还提供22ULL（超低泄漏）型号。与28HPC相比，22ULP在等功率情况下可提供高达20％的性能提升，在等性能情况下可提供高达35％的更低功耗。联电还提供许多特殊设备，包括高VT和高压设备。
联电22纳米有两条迁移路径。第一个是低成本的物联网应用，可以从芯片面积缩小中受益，但仍无法承受FinFET设计带来的成本。UMC表示:“我们看到，28纳米芯片的设计将以更低的成本升级到22纳米，因此我们认为它可以用于互连芯片、一些入门级智能手机和高端电视控制器。” UMC还与Arm合作在新的22nm平台上提供POP IP。为此，Arm为Cortex-M以及包括A55在内的一些Cortex-A核心提供POP IP。
第二种迁移途径是针对来自40纳米的设计，它们希望利用低功耗工艺。与联电现有的40ULP工艺相比，根据设计，联电报告的性能提高了35％至95％，或者功率提高了0.55至1.2倍。
联华电子表示，其22纳米工艺可用于今天的代工客户。联电也正在为此过程开发eMRAM，但是尚未宣布推出计划。
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