9 月 8 日消息，据国外媒体报道，周三，内存芯片制造商三星电子表示，它已开始运营韩国平泽园区的 P3 芯片生产线。将在该工厂生产先进的NAND闪存芯片。这是三星电子有史以来建造的最大的芯片工厂。
如今，三星平泽园区已成为该公司最重要的半导体制造中心。这里的各种制造设施可用于制造从13纳米DRAM到5纳米制程工艺以下的各种芯片产品。在平泽290万平方米的园区内，三星电子将继续增添设施。三星已经开始准备开辟另一条新生产线P4，以进一步提高其生产能力。
三星的 P3 生产线配备了荷兰芯片设备制造商阿斯麦的极紫外（EUV）光刻机，从今年 7 月开始首先生产最尖端的 NAND 闪存芯片，未来可能还会生产应用处理器和其他半导体。
据悉，三星在韩国有 5 家半导体工厂，分别位于器兴、华城、平泽、温阳和天安。此外，该公司还在中国苏州、天津和西安还运营着三家芯片工厂，在美国德克萨斯州奥斯汀也有一家芯片工厂。
今年7月份，外媒报道称，三星电子计划未来20年在德克萨斯州投资近2000亿美元建设11座芯片工厂。
据悉，在这11座芯片工厂中，有2座将位于奥斯汀，剩下9座将位于泰勒市，分别投资245亿美元和1676亿美元。其中，第一座工厂将于2034年投入运营，还有两个工厂要到2042年才能投入使用。
此前有报道称，三星可能会寻求收购半导体公司，以扩大业务范围。三星设备解决方案部门的首席执行官兼总裁Kyung Kye-hyun在最近的新闻发布会上再次暗示了这种可能性。
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