第四代金刚石半导体项目落户乌鲁木齐
6月4日，乌鲁木齐甘泉堡经济技术开发区（工业区）与南京储芯电子科技有限公司、福建大卓控股有限公司正式签署协议，标志着总投资2.65亿元的第四代金刚石半导体项目正式落户。
格芯追加投资160亿美元，推动基本芯片制造回流
当地时间6月4日，格芯（GlobalFoundries）宣布计划在美国投资160亿美元（约合人民币1150亿元），以扩大其在纽约和佛蒙特两州工厂的半导体制造和先进封装能力，推动基本芯片制造回流。
台积电确认日本熊本第二晶圆厂动工因交通问题推迟
在6月3日的年度股东大会后，台积电董事长魏哲家确认，位于日本熊本的第二座晶圆厂项目因交通问题而略微延迟动工。
国内端侧 AI SoC 芯片设计企业为旌科技完成 A2 轮融资首次交割
国内端侧 AI SoC 芯片设计企业为旌科技完成 A2 轮融资首次交割，君信资本出资 1 亿元。
合肥欣奕华宣布完成超3亿元B+轮融资
6月3日，泛半导体高端装备厂商合肥欣奕华智能机器股份有限公司宣布，国开制造业转型升级基金、朝希资本、安徽高新投、国中资本、超高清视频产业投资基金等基金已完成对公司超3亿元B+轮投资。
晶湖科技完成新一轮数千万元融资，系国内高端石英晶体材料制造商
近日，国内高端石英晶体材料研发制造商山东晶湖科技有限公司（简称“晶湖科技”）完成数千万元的新一轮融资，由颍上优势基金、阜芯光电基金联合投资。
投资超百亿，先导化合物半导体项目冲刺年底投产
据长江日报消息，近日，先导化合物半导体研发生产基地项目迎来新进展。相关负责人表示，目前正进行洁净厂房设计和设备采购等工作，按计划，6月底厂房招标、7月初开始装修。
南亚科定制内存项目有望2026年取得验证
据台媒报道，南亚科技正在AI DRAM加速布局，力争在三大原厂全力争夺HBM市场的环境下，从定制领域分得一杯羹。
晶盛机电成功研发12英寸导电型SiC晶体
日前，晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长技术突破，首颗12英寸SiC晶体成功出炉——晶体直径达到309mm，质量完好。
燕东微拟募资40亿元用于北电集成12英寸产线项目
北京燕东微电子股份有限公司发布公告称，其向特定对象发行股票的申请已获得上海证券交易所审核通过。
绿通科技收购大摩半导体51%股权，进军半导体市场
绿通科技于6月2日宣布，计划以现金方式收购江苏大摩半导体科技有限公司不低于51%的股权，预计将实现对该公司的控股。
软银与英特尔合作研发新型AI内存芯片，电力消耗有望减半
软银与英特尔携手开发新型AI内存芯片，旨在显著降低电力消耗，助力日本构建高效节能的AI基础设施。根据日经亚洲的报道，双方计划设计一种新型堆叠式DRAM芯片，采用与现有高带宽内存（HBM）不同的布线方式，预计将电力消耗减少约50%。
国产量子芯片设计软件“本源坤元”成功突破设计瓶颈
国产量子芯片设计软件“本源坤元”近日完成了其第五次技术迭代，成功突破了大规模量子芯片设计的技术瓶颈
北京RISC-V芯片龙头企业奕斯伟计算递表港交所，冲刺“RISC-V第一股”
5月30日，北京RISC-V芯片龙头企业奕斯伟计算正式递表港交所，拟冲刺“RISC-V第一股”，聚焦智能终端与具身智能场景。
中国科学院物理研究所发现超带隙透明导体
相关成果以“Hyper-gap transparent conductor”为题，发表在Nature Materials杂志。
台积电在美晶圆厂正接受工艺认证，预计年内量产英伟达芯片
据外媒报道，日前，英伟达CEO黄仁勋在公司2026财年第一财季财报电话会议上，提及其生态系统合作伙伴在美国的投资建设。
