iTGV2026:台积电通过玻璃载板重新定义封装尺寸和竞争格局

台积电(TSMC)的在玻璃基板上采用审慎策略,续将重点放在现有的硅基先进封装解决方案上,如CoWoS和SoIC 。虽然台积电也在密切关注GCS技术,但大规模应用预计要到2028年以后,这表明台积电正在等待技术和产业生态系统达到更高的成熟度 。目前台积电Panel Level的技术验证和导通有OSAT(日月光ASE、安靠Amkor)完成。

美商务部再将14家中企列入未经核实清单:包含亿控国际、广州信维电子

美国政府要求出口商向这 14 家中企发货前,必须加强进行尽职调查。美国政府无法对其完成实地查核,无法确定他们在获得美国敏感技术出口时是否值得信任,若相关实体无法于 60 天内证明出口产品的最终用途,这些中企将被列入限制强度最高的「实体清单」

英伟达将在2028年商业玻璃基板AI GPU

iTGV2026特邀德国、日本、立陶宛、美国、韩国、中国台湾与大湾区企业、华东设备/材料企业供应链企业演示玻璃基板2.5D/3D/3.5D/4D最新封装工艺,含玻璃原片、玻璃芯板、玻璃载板、蚀刻、通孔制作、金属填充、布线增层、贴片键合、线路连接、密封保护与成本检测的全流程工序。同时将启动签约1-3条玻璃基的PLP中试线,促进客户端与设备工业的产线整合。

三星首款3nm可穿戴芯片发布,采用面板级封装

日前,三星官网正式发布其首款采用3nm GAA先进工艺的可穿戴设备SoC芯片Exynos W1000,将首搭在Galaxy Watch 7上。该产品应用了先进制造工艺和封装方法,提高性能的同时有助于减小体积,为电池预留更大空间,从而延长续航,也为智能手表的设计增添了灵活性。

天岳先进成功交付P型SiC衬底

据天岳先进官微消息,近日,天岳先进向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底,标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程,实现高端特高压功率器件国产化。

盛合晶微三维多芯片集成封装项目陆续开工

据消息,近日,根据盛合晶微半导体(江阴)有限公司三维多芯片集成封装项目以及超高密度互联三维多芯片集成封装项目的建设需求,江阴高新区完成了开工验线手续,两个项目陆续进行了开工建设。

无锡迪思高端掩模正式通线,首套90nm产品顺利交付

近日,无锡迪思微电子有限公司(以下简称“无锡迪思”)高端掩模项目完成关键设备安装调试,产线顺利贯通,并完成首套90nm高端掩模产品的生产与交付,标志着无锡迪思技术能力实现新跨越,向成为中国大陆技术、产能双领先的开放式掩模公司,又迈出坚实的一步。

大基金退出!赛微电子将全资控股莱克斯北京

3月22日,赛微电子发布公告称,公司拟通过全资子公司北京赛莱克斯国际科技有限公司(以下简称“赛莱克斯国际”)收购国家集成电路产业投资基金股份有限公司持有的公司控股子公司赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司(以下简称“赛莱克斯北京”)28.5%股权。