三星:未来十年单颗SSD的容量可达1PB

据三星半导体消息,三星预计,在未来十年单颗SSD的容量可达1PB(一千万亿字节)。三星表示,基于3D制造工艺的NAND闪存产品的数据存储能力正在不断提高,这种演变发生在物理缩放技术、逻辑缩放技术、32DIE堆叠封装三个领域

国家自然科学基金委部署集成芯片科学基础重大研究计划

12月16日至17日,第一届集成芯片和芯粒大会在上海召开,国家自然科学基金委介绍“集成芯片前沿技术科学基础”重大研究计划。该重大研究计划布局我国在集成电路领域的发展新途径,聚焦在集成芯片技术路径中的新问题,旨在通过集成电路、计算机科学、数学、材料和物理等学科的深度交叉融合,在集成芯片理论和关键技术的源头创新取得突破

天岳先进成功交付P型SiC衬底

据天岳先进官微消息,近日,天岳先进向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底,标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程,实现高端特高压功率器件国产化。

华虹公司将于8月7日在上交所科创板上市

华虹公司目前有三座8英寸晶圆厂和一座12英寸晶圆厂。根据IC Insights发布的2021年度全球晶圆代工企业的营业收入排名数据,华虹半导体位居第六位,也是中国大陆最大的专注特色工艺的晶圆代工企业。截至2022年末,上述生产基地的产能合计达到32.4万片/月(约当8英寸),总产能位居中国大陆第二位。

安世半导体将在德国汉堡投资2亿美元

6月27日,在德国汉堡晶圆厂成立100周年之际,安世半导体与汉堡经济部长Melanie Leonhard博士共同宣布:计划投资2亿美元研发下一代宽禁带半导体产品(WBG),例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN),并在汉堡工厂建立生产基础设施。同时,晶圆厂的硅(Si)二极管和晶体管产能将会增加。

投资1000亿日元!三菱电机新建8吋SiC晶圆厂

3月14日,三菱电机宣布增产SiC功率半导体,计划在截至2026年3月的五年时间内,将此前宣布的原投资翻一番,达到约2600亿日元(约133.36亿元人民币)。同时该由于增产投资计划,三菱电机2026年度SiC晶圆产能预计将扩增至2022年度的约5倍水平

陕西光电子先导院先进光子器件工程创新平台在西安全面启用

3月30日,陕西光电子先导院先进光子器件工程创新平台在西安全面启用。该平台具备光子芯片制程中的光刻、刻蚀、蒸镀等多项核心工艺,将为光子产业项目提供产品研发、中试、检测等全流程技术服务,为光子产业各类创新主体打通从产品研发到市场化批量供货的完整链条

江苏晋誉达新厂房项目奠基

据晋誉达半导体官微消息,3月20日,江苏晋誉达半导体股份有限公司新厂房项目奠基仪式隆重举行。此次奠基仪式标志着晋誉达在半导体高端设备的研发和生产上又跨上了一个新台阶,翻开了新的篇章。