深圳平湖实验室在SiC衬底激光剥离技术领域取得重要进展
据深圳平湖实验室官微消息，为降低材料损耗，深圳平湖实验室新技术研究部开发激光剥离工艺来替代传统的多线切割工艺，其工艺过程示意图如下所示：
SK海力士完成对英特尔NAND业务的收购
据韩媒报道，根据SK海力士向韩国金融监管机构FSS披露的文件，该企业已完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第二阶段，交易正式完成
总投资约125亿元！西安奕材拟投建武汉硅材料基地项目
12月2日，西安奕材发布晚间公告称，公司与武汉光谷半导体产业投资有限公司（简称光谷半导体产投）签署《奕斯伟武汉硅材料基地项目投资合作协议》，投资建设武汉硅材料基地项目。
点击解锁2025慕尼黑上海电子展同期论坛，各大精彩论坛等您赴约！
2025慕尼黑上海电子展（electronica China）将于4月15-17日在上海新国际博览中心举办。展会同期将举行精彩纷呈的“创新论坛”，紧紧把握电动车、汽车电子、人形机器人、三代半、嵌入式系统、人工智能、物联网、储能、智能制造、医疗电子、连接器、电机驱动、无人机等热门应用市场与高速发展行业，邀请来自电子行业、应用领域以及科研院所的业界领袖、技术专家、科研学者为与会观众答疑解惑，分享生产案例，提供先进技术解决方案，展望行业未来发展趋势。
韩国拟投资千亿组建新晶圆代工厂KSMC
据韩媒报道，韩国政府可能将考虑创建一家由政府资助的晶圆代工厂商，暂定名为韩国半导体制造公司 （KSMC）。
华海清科拟不超5亿扩产江苏晶圆再生项目
华海清科近日公告，为有效抢抓晶圆厂加速扩产的窗口期，扩大先发优势和规模效应，进一步扩大晶圆再生服务的市场份额，公司拟在江苏省昆山市建设晶圆再生扩产项目，规划扩建总产能为40万片/月，其中首期建设产能为20万片/月，首期投资预计不超过5亿元。
NEO Semiconductor推出全球首款X-HBM架构
自NEO Semiconductor官网获悉，日前，NEO Semiconductor宣布推出全球首个用于人工智能芯片的超高带宽内存 (X-HBM) 架构。
镓仁半导体实现VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂
据镓仁半导体官微消息，日前，杭州镓仁半导体有限公司基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行工艺优化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功实现4英寸氧化镓单晶的导电型掺杂，为下游客户提供更加丰富的产品选择，助力行业发展。
电子堆叠新技术造出多层芯片
据科技日报消息，近日，美国麻省理工学院团队在最新一期《自然》杂志上介绍了一种创新的电子堆叠技术。该技术能显著增加芯片上的晶体管数量，从而推动人工智能（AI）硬件发展更加高效。通过这种新方法，团队成功制造出了多层芯片，其中高质量半导体材料层交替生长，直接叠加在一起。
国家重点研发计划“异质集成光量子芯片及光场多维调控”项目启动
据消息，近日，由上海交通大学、上海交大无锡光子芯片研究院、香港大学、粤港澳大湾区（广东）量子科学中心、深圳国际量子研究院联合承担的国家重点研发计划“晶圆级异质集成光量子芯片及高速光场多维调控”项目启动交流会在无锡滨湖区光子芯谷成功召开。
联发科提前布局Wi-Fi 8，相关设备有望2027年底上市
据媒体报道，消息称联发科正提前布局，研发下一代 WiFi 8 无线技术。虽然该行业标准预计要到2028年才最终定稿，但联发科已启动研发工作，并计划在2027年底前推出支持 WiFi 8 的设备，抢占新一代无线连接技术的先机。
SK海力士成功开发基于321层NAND闪存的UFS 4.1解决方案产品
5月22日，SK 海力士宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1。
三星计划2028年推出“移动HBM”
据韩媒报道，三星电子半导体暨装置解决方案（DS）部门首席技术官宋在赫表示，搭载LPW DRAM内存的首款移动产品将在2028年上市。
存储芯片价格已较去年同期上涨约50% 报告称或还将持续上涨
据消息，存储芯片是半导体市场最主要的细分领域，主要分为闪存和内存。数据显示，今年以来存储芯片价格已较去年同期上涨约50%。某存储企业负责人表示，从2023年年底开始，半导体存储产业逐步进入上行周期，今年已多次收到上游存储芯片厂提高合约价的通知。有报告显示，存储芯片价格或还将持续上涨，预计今年第二季度DRAM内存新品合约价格将上涨13%至18%。
越南批准首座晶圆厂建设计划
据外媒报道，越南政府已批准一项价值12.8万亿越南盾（约合人民币36.45亿元）的晶圆厂建设计划，这将是越南第一座晶圆厂。
消息称美光拟调升Q2产品报价 涨幅超两成
据相关市场人士透露，存储芯片龙头美光已向多数客户提出调升Q2产品报价，涨幅超过两成。价格谈判仍在进行中。
