三星2nm工艺EUV层数相比3nm将增加30%
与3nm工艺相比,三星2nm工艺节点的EUV层数将增加30%,这意味着芯片可容纳更多电路,目前该公司3nm工艺节点有20个EUV层。
总投资15亿元,长进光子项目签约落户光谷
据消息,4月24日,东湖高新区管委会与武汉长进光子技术股份有限公司(下简称“长进光子”)签订合作协议,长进光子高性能特种光纤生产基地及研发中心项目落户光谷。
SK会长会见台积电魏哲家,探讨AI芯片合作
据报道,6月6日,SK集团会长崔泰源(Choi Tae-won)会见台积电新任董事长魏哲家,并决定进一步加强两家公司的合作,以增强AI半导体的竞争力。
西门子斥资106亿美元收购Altair
日前,西门子发布公告称,公司已签署协议,收购工业模拟和分析市场领先的软件提供商 Altair Engineering,交易预计在2025年下半年完成。
通富微电“多芯片封装方法”专利获授权
天眼查显示,通富微电子股份有限公司近日取得一项名为“多芯片封装方法”的专利,授权公告号为CN112490186B,授权公告日为2024年6月14日,申请日为2020年11月25日。
Arm据称将开发AI芯片 计划在2025年秋季开始量产
据媒体报道,软银集团旗下的芯片设计公司Arm计划开发人工智能(AI)芯片,并力争在2025年推出首批产品
台积电美国厂发生爆炸 造成至少一人重伤
据媒体报道,当地时间5月15日下午,台积电亚利桑那州凤凰城的工厂发生爆炸,消防队因厂方通报危险有害物而前往救援。
AMD计划在台湾设立研发中心
据报道,经证实,5月20日,超威半导体(AMD)计划在中国台湾地区投资50亿元新台币(约合人民币11.22亿元)设立研发中心。
三星1nm制程量产时间或提前至2026年
三星代工业务部门将于6月12日至13日在美国硅谷举办代工与SAFE论坛。届时,其将公布其最新的技术路线图,1nm量产计划将从2027年提前到2026年。
能华半导体张家港制造中心(二期)项目动工
据消息,4月18日,能华半导体张家港制造中心(二期)项目在张家港经开区再制造基地正式开工建设。
昕感科技、尊阳电子合资第三代功率半导体集成电路封装项目落户江阴 总投资近13亿
5月27日下午,北京昕感科技有限责任公司与江苏尊阳电子科技有限公司签订合资协议,成立江苏昕阳电子科技有限公司。江阴市领导王琪、顾文瑜、陈涵杰出席签约仪式。
燧原科技启动IPO辅导
近日,中国证监会披露了关于上海燧原科技股份有限公司(以下简称“燧原科技”)首次公开发行股票并上市辅导备案报告。
卓胜微完成转型,6英寸、12英寸产线取得阶段性进展
据消息,10月18日,卓胜微在投资者互动平台表示,目前公司已完成从Fabless向Fab-lite经营模式的转型。
科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm
5月29日,科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报,自主研发的电阻长晶炉再次实现突破,成功制备出多颗中心厚度超过80mm,薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶。
意大利计划向半导体行业投资100亿欧元 扩大芯片生产
据消息,意大利工业部长阿道夫·乌尔索(Adolfo Urso)称,意大利政府计划全年向半导体行业投资约100亿欧元。
三井化学将量产光刻薄膜新品,支持ASML下一代光刻机
日前,日本三井化学宣布将在其岩国大竹工厂设立碳纳米管 (CNT) 薄膜生产线,开始量产半导体最尖端光刻机的零部件产品(保护半导体电路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代产品)。
投资30亿元,帝尔激光研发生产基地三期项目拟落户湖北武汉
据消息,帝尔激光7月2日发布公告称,公司拟与武汉东湖新技术开发区管理委员会签署《关于帝尔激光研发生产基地三期项目的合作协议》,计划在武汉东湖新技术开发区(以下简称“东湖高新区”)投资人民币30亿元建设帝尔激光研发生产基地三期项目,主要包含固定资产投资、研发及其他经营费用等。