三星NAND晶圆投片量趋于保守 产能利用率维持在60%以下
三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升了约30%。
KAIST与三星电子签订BCDMOS技术合作协议
据韩媒报道，7月23日，韩国科学技术院(KAIST) 与三星电子签订了130纳米双极 CMOS DMOS（BCDMOS）技术合作协议。
新洁能SiC/GaN功率器件及封测研发及产业化项目延期
据消息，新洁能8月13日发布公告称，拟将此前募投项目中的“第三代半导体 SiC/GaN 功率器件及封测的研发及产业化”项目达到预定可使用状态日期延期至2025年8月。
容大感光拟募资2.45亿元建设高端感光线路干膜光刻胶项目
6月7日，容大感光发布公告称，公司拟以简易程序向特定对象发行股票募资不超2.45亿元，用于高端感光线路干膜光刻胶建设项目、IC载板阻焊干膜光刻胶及半导体光刻胶研发能力提升项目以及补充流动资金。
欧莱新材拟投建欧莱明月湖半导体高纯材料项目
据消息，欧莱新材2月12日发布晚间公告称，公司子公司欧莱高纯拟与韶关高新技术产业开发区管理委员会签署项目投资协议书，投资建设“欧莱明月湖半导体高纯材料项目”。
比亚迪功率器件和传感控制器件研发及产业化项目一期竣工
11月28日，比亚迪功率器件和传感控制器件研发及产业化项目一期竣工。这是滨海新区2023年重大项目竣工投产仪式上投资总额最大的项目
罗姆旗下SiCrystal与意法半导体扩大SiC晶圆供应合同
罗姆（ROHM）和意法半导体公司4月22日宣布扩大与罗姆旗下公司SiCrystal之间现有的多年长期150mm碳化硅（SiC）晶圆供应协议。
瀚天天成冲刺港交所，IPO募集资金将用于扩大碳化硅外延晶片产能
据港交所官网信息显示，瀚天天成电子科技(厦门)股份有限公司（以下简称“瀚天天成”）于2025年4月8日正式向港交所递交招股说明书，拟主板挂牌上市，中金公司担任独家保荐人。
长电科技申请电感封装结构专利
据国家知识产权局信息显示，江苏长电科技股份有限公司申请一项名为“一种电感封装结构、相应的制备方法及封装板结构”，公开号CN202410209578.1，申请日期为2024年2月。
4nm→2nm，三星或升级美国德州泰勒晶圆厂制程节点
根据韩国媒体Etnews的报导，晶圆代工大厂三星正在考虑将其设在美国德州泰勒市的晶圆厂制程技术，从原计划的4纳米改为2纳米，以加强与台积电美国厂和英特尔的竞争。消息人士称，三星电子最快将于第三季做出最终决定。
北方华创高介电常数原子层沉积设备获批量订单
据北方华创官方微信号披露，近期公司12英寸高介电常数原子层沉积设备Scaler HK430实现稳定量产，获得批量订单
总投资15亿元，长进光子项目签约落户光谷
据消息，4月24日，东湖高新区管委会与武汉长进光子技术股份有限公司（下简称“长进光子”）签订合作协议，长进光子高性能特种光纤生产基地及研发中心项目落户光谷。
炬光科技泛半导体制程光子应用解决方案产业基地项目开工
据消息，日前，西安炬光科技股份有限公司（以下简称为“炬光科技”）在合肥高新区投资的泛半导体制程光子应用解决方案产业基地项目正式开工建设。
三星将于2027年推出1.4nm工艺、BSPDN背面供电及硅光子技术
三星晶圆代工部门近日透露，预计将于2027年推出1.4nm制程工艺、芯片背面供电网络（BSPDN）和硅光子技术。
SK海力士加快16层HBM3E量产进度
据韩媒报道，SK海力士已开始准备量产HBM3E 16层产品，新工艺设备正在引进和测试，现有设备也在优化和维护以适应新产品，主要工艺测试结果也正在顺利出炉，为明年初的出样乃至2025上半年的大规模量产与供应打下基础。
黄仁勋：英伟达5年内拟在台兴建大型设计中心
据消息，英伟达创始人兼CEO黄仁勋接受采访时表示，未来5年要在台湾设立一个很大的设计中心，至少会雇用1000名工程师，同时也在寻找很大的场地，能在此盖一个总部。具体地点还在考虑，尚未做出决定。
华芯紫辰半导体化合物晶体产业化项目落地红寺堡
据消息，日前，吴忠市红寺堡区政府和中核汇能宁夏新能源有限公司、青岛芯康半导体科技有限公司、深圳紫辰星新能源有限公司签订三方合作协议，共建华芯紫辰半导体化合物晶体产业化项目。项目建成投产后，将填补宁夏半导体新材料加工生产的空白
北京经开区将设立第二期政府投资引导基金
据北京亦庄官微消息，近期，规模为100亿元的北京经济技术开发区（北京亦庄）政府投资引导基金二期（以下简称“二期基金”）将正式设立
