CSPT2022第二十届中国半导体封装测试技术与市场年会

SK海力士定制HBM4基础裸片将从5nm升级至3nm

据韩媒报道，由于客户对先进存储器的需求，SK海力士打算改变原来的计划，以3nm取代5nm，采用更先进的工艺生产HBM4基础裸片，预计HBM4将在2025年下半年开始供货

芯闻快讯 2024年12月05日 0 点赞 0 评论 1094 浏览

新增50项？韩媒：韩国将扩大“关键战略技术清单”

据韩联社报道，韩国产业通商资源部于4月18日表示，韩国将把50项与材料、零部件和设备领域相关的先进技术列入国家“关键战略技术清单”，以培育能够获得卓越全球竞争力的企业

芯闻快讯 2023年04月21日 0 点赞 0 评论 1094 浏览

紫光同芯发布高端控制芯片THA6系列新品THA6412

在2024紫光同芯合作伙伴大会上，紫光同芯正式发布第二代高端控制芯片THA6系列新品THA6412。该芯片在安全性、可靠性、算力、实时性等方面进行了升级，是继今年7月紫光同芯发布THA6206芯片后，又一款通过ASIL D产品认证的旗舰级R52+内核车规MCU。

芯闻快讯 2024年08月22日 0 点赞 0 评论 1094 浏览

富乐德：拟收购关联方杭州之芯半导体公司100%股权

富乐德6月7日晚间公告，为拓展半导体设备及零部件维修领域业务，公司与杭州大和江东新材料科技有限公司签订附条件生效的《股权转让协议》，收购杭州之芯半导体有限公司100%股权，交易价格6800万元。

芯闻快讯 2024年06月11日 0 点赞 0 评论 1095 浏览

德国蔡司中国台湾首座创新中心即将启用

据消息，6月12日，蔡司宣布其位于新竹科学园区，斥资超过3亿元新台币打造的首座台湾创新中心将于6月18日落成。

芯闻快讯 2024年06月13日 0 点赞 0 评论 1095 浏览

台积电董事澄清：从未讨论过接手英特尔晶圆厂

据台媒报道，台积电董事刘镜清3月19日表示，台积电董事会从未讨论过接手英特尔代工部门的事。

芯闻快讯 2025年03月20日 0 点赞 0 评论 1095 浏览

三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料

据消息，三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。

芯闻快讯 2024年05月29日 0 点赞 0 评论 1096 浏览

台积电3nm产能紧张导致IC设计公司涨价高通Snapdragon 8 Gen 4较上一代报价激增25％

半导体业内人士表示，台积电3nm产能供不应求，上游IC设计公司开始传出涨价消息。供应链透露，高通Snapdragon 8 Gen 4以台积电N3E打造，较上一代报价激增25％，不排除引发后续涨价趋势。但业内也指出，涨价幅度合理，因为相较5nm，3nm每片晶圆成本价格大约就贵了25％，且这一涨幅还未考虑整体投片数量、设计架构等因素。

芯闻快讯 2024年06月14日 0 点赞 0 评论 1096 浏览

PI官宣收购Odyssey半导体资产

自Power Integrations (PI) 官网获悉，5月7日，PI宣布收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商奥德赛半导体技术公司(Odyssey)的资产。

芯闻快讯 2024年05月09日 0 点赞 0 评论 1096 浏览

中国在新兴芯片领域产生最多论文难以透过出口管制打击

一份分析报告指出，中国目前在未来运算硬件基础研究领域产出最多的研究成果。这项由乔治城大学新兴技术观察项目 (Emerging Technology Observatory，ETO) 进行的研究发现，如果这些研究能够发展成商业应用，美国可能很快就会发现，难以透过出口管制来维持其在高效能微芯片设计和生产方面的竞争优势。

芯闻快讯 2025年03月06日 0 点赞 0 评论 1096 浏览