光迅科技高端光电子器件产业基地建设项目一期厂房全面封顶
该项目研发生产面向5G、F5G、6G、AI数据中心应用的高速光电子器件以及光收发模块产品
泰瑞达从中国撤出10亿美元制造业务
1月29日，美国著名半导体自动测试设备供应商泰瑞达(Teradyne)发言人表示，在美国出口法规导致供应链中断后，泰瑞达去年将价值约 10 亿美元的制造业从中国撤出
重磅！刘鹤调研集成电路企业释放重要信号
3月2日电，国务院副总理刘鹤2日在北京调研集成电路企业发展并主持召开座谈会。刘鹤强调，发展集成电路产业必须发挥新型举国体制优势，用好政府和市场两方面力量。政府要制定符合国情和新形势的集成电路产业政策，设定务实的发展目标和发展思路，帮助企业协调和解决困难，在市场失灵的领域发挥好组织作用，引导长期投资，对国内人才给予一视同仁的优惠政策，对外籍专家给予真正的国民待遇，帮助企业加快引进和培养人才。
26亿元！欣旺达拟投建SiP系统封测项目
据悉，浙江欣旺达计划对该项目总投资26亿元（其中项目建设及相关投入约为22亿元，约4亿元用于项目建设完成后日常营运资金），用于从事SiP系统封测技术研发、电池模组电源管理系统封装、消费类电子SiP系统封装模组和电池模组的生产与销售
总投资105亿，晶隆半导体材料及器件产业化项目开工
2月19日上午，滁州市委、市政府在南谯区举行全市招商引资重大项目集中开工暨晶隆半导体材料项目主体工程开工仪式
英伟达CEO黄仁勋：预计AI收入将在未来12个月大幅增长
在英伟达年度GTC开发者大会的新闻发布会上，黄仁勋表示，在过去12个月里，生成式人工智能只占公司收入的非常非常非常小的个位数比例，此类人工智能包括得到了微软数以十亿计美元投资的OpenAI旗下的ChatGPT等应用程序
蠡园开发区总投资达20亿元集成电路企业集中投产
随着这些重大项目的建成投产，开发区将在发挥集成电路关键优势环节“设计”的基础上，进一步打通集成电路“设计—制造—封装—测试—应用”的全产业链条，推动开发区集成电路产业更好更快实现跨越式发展。
上汽集团：拟60亿投资上汽芯聚创业投资合伙企业
此次投资主要通过专业化投资管理团队推动跨产业深度融合，完善芯片产业生态布局，加快汽车芯片的国产化推进等
美国，计划限制中国传统制程芯片
乔·拜登总统对中国获取为人工智能模型提供动力的先进芯片的能力实施了广泛的控制。但中国方面的回应是向工厂投入数十亿美元，生产尚未被禁止的所谓传统芯片。此类芯片在整个全球经济中仍然至关重要，是从智能手机、电动汽车到军事硬件等各种产品的关键组件。
新思科技连续12年获台积公司“OIP年度合作伙伴”，携手引领芯片创新
加利福尼亚州山景城，2022年12月14日 -- 新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，连续第12年被评选为“台积公司OIP开放创新平台年度合作伙伴”（OIP，Open Innovation Platform®）并斩获六个奖项，充分彰显了双方长期合作在多裸晶芯片系统、加速高质量接口IP、射频设计、云解决方案等关键技术领域发展上取得的卓越成果。
浙江大学成立集成电路学院，吴汉明院士担任院长
2024年1月16日上午，浙江大学召开集成电路学院干部教师大会，宣布成立浙江大学集成电路学院，撤销微电子学院（微纳电子学院）
国资委：更大力度布局前瞻性战略性新兴产业
加大新一代信息技术、人工智能、新能源、新材料、生物技术、绿色环保等产业投资力度，在集成电路、工业母机等领域加快补短板强弱项，促进支撑国家算力的相关产业发展，推动传统产业数字化智能化绿色化转型升级
投资总额达1042.3亿元，高通汽车芯片研发中心等33个项目签约成都
签约重大产业化项目27个、投资总额1038.5亿元，涵盖集成电路、新材料、新能源汽车等12个重点产业链；引进高通汽车芯片研发中心项目、青岛创新奇智工业机器人创新中心暨高技能人才培育基地项目等人才团队和合作平台类项目6个、投资总额3.8亿元
投资16.8亿元，芯谷半导体研发生产项目在苏州开工
芯谷半导体研发生产项目占地面积约110亩，建筑总面积约32万平方米，采用“研发+厂房”模式。项目总投资16.8亿元，预计将于2025年建成
安牧泉高端大芯片先进封装基地正式启用
据消息，6月13日，2024长沙共建新一代半导体产业生态大会暨产业链专场主题活动在位于湖南湘江新区的安牧泉先进封装基地启幕，标志着该基地正式投入使用。
先进封装电镀设备企业——海世高半导体落户苏州高新区 为商务区高质量发展蓄势赋能
2020年，海世高在韩国正式成立，通过对设计、软件、制造的集成化，来构筑最尖端的技术基础设施，所展现的高性能、高效率、以及迅速的技术应对能力得到了日本、美国等全球客户的认可
国内首款，中国电科网通超高频射频识别芯片实现批量交付
据悉，该芯片在基带、射频、存储器等方面取得大量原始技术创新成果，在灵敏度、可靠性等指标上相较于同类型产品实现较大提升
SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM， 已向客户提供样品
全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）**的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证
总投资约6亿元，博康嘉兴氮化镓射频功率芯片先导线项目开工
该项目总投资额约6亿元，占地面积46667平方米，其中一期用地约33200平方米。项目集产品研发、生产、销售等功能为一体，将进一步加快开发区电子信息产业集聚，为经开区智造创新强区、经济高质量发展提供有力支撑
