总投资近百亿！江苏华天集成电路晶圆级封测基地项目厂房全面封顶
近日，位于浦口经济开发区的江苏华天集成电路晶圆级封测基地项目3#厂房全面封顶，1#厂房已建成，正在进行设备调试。
华南站丨多项创新技术聚合，智能检测技术如何炼就“火眼金睛”？
作为智能制造的核心装备，智能检测装备也是“工业六基”的重要组成和产业基础高级化的重要领域，对加快制造业高端化、智能化、绿色化发展，提升产业链供应链韧性和安全水平，支撑制造强国、质量强国和数字中国建设具有重要意义
大基金退出！赛微电子将全资控股莱克斯北京
3月22日，赛微电子发布公告称，公司拟通过全资子公司北京赛莱克斯国际科技有限公司（以下简称“赛莱克斯国际”）收购国家集成电路产业投资基金股份有限公司持有的公司控股子公司赛莱克斯微系统科技（北京）有限公司（以下简称“赛莱克斯北京”）28.5%股权。
昂科技术亮相SEMICON China 2025：半导体测试设备实现新突破
作为半导体烧录及测试设备的领军企业，深圳市昂科技术有限公司（以下简称“昂科技术”）携创新产品、关键技术及解决方案亮相本次展会。
美商务部再将14家中企列入未经核实清单：包含亿控国际、广州信维电子
美国政府要求出口商向这 14 家中企发货前，必须加强进行尽职调查。美国政府无法对其完成实地查核，无法确定他们在获得美国敏感技术出口时是否值得信任，若相关实体无法于 60 天内证明出口产品的最终用途，这些中企将被列入限制强度最高的「实体清单」
三星首款3nm可穿戴芯片发布，采用面板级封装
日前，三星官网正式发布其首款采用3nm GAA先进工艺的可穿戴设备SoC芯片Exynos W1000，将首搭在Galaxy Watch 7上。该产品应用了先进制造工艺和封装方法，提高性能的同时有助于减小体积，为电池预留更大空间，从而延长续航，也为智能手表的设计增添了灵活性。
总投资约28亿元，鑫华半导体年产10000吨电子级多晶硅项目竣工
据悉，日前，内蒙古鑫华半导体科技有限公司10000吨每年高纯电子级多晶硅产业集群项目顺利建成，目前已进入试生产阶段。
模拟芯片厂商ADI拟投6.3亿欧元扩大晶圆产能
该投资是爱尔兰向欧盟委员会申请的第一个欧洲共同利益重要微电子和通信技术项目(IPCEI ME/CT) 的一部分
Gartner 预测 2023 年全球 AI 芯片收入将增长 21%
根据 Gartner 的最新预测，2023 年全球半导体行业收入将达到约 410 亿英镑（530 亿美元），比 2022 年增长约 20.9%
天岳先进成功交付P型SiC衬底
据天岳先进官微消息，近日，天岳先进向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底，标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程，实现高端特高压功率器件国产化。
台积电：2022年销售额2.26万亿台币，同比增长42.6%
财联社1月10日电，台积电公布，2022年12月销售额1925.6亿台币，同比增长24%；1-12累计销售额2.26万亿台币，同比增长42.6%
沪硅产业拟收购二期项目实施主体少数股权，将全资控股“新昇系”
据消息，3月7日，沪硅产业发布晚间公告，披露了关于发行股份及支付现金购买资产并募集配套资金暨关联交易预案
我国第三代自主超导量子计算机全球访问数据公布，美国用户排第一
从登录用户看，美国、保加利亚、新加坡、日本、俄罗斯、加拿大等全球61个国家的用户均远程访问了“本源悟空”
华力宇高端芯片测试基地开工
据HISEMI官微消息，近日，深圳市华力宇电子科技有限公司（HISEMI）高端芯片测试基地新址举行启航仪式暨开工大吉，标志着公司正式进军高端测试领域。
日本目标 2030 年芯片销售额增加两倍，达到 15 万亿日元
日本工业省周一表示，日本政府的目标是通过加大投资力度，到 2030 年将该国制造半导体、零部件和材料的公司的销售额增加两倍，达到 15 万亿日元（1,130 亿美元）
复旦大学魏大程团队研发半导体性光刻胶 实现特大规模集成度有机芯片制造
复旦大学高分子科学系、聚合物分子工程国家重点实验室魏大程团队设计了一种新型半导体性光刻胶，利用光刻技术在全画幅尺寸芯片上集成了2700万个有机晶体管并实现了互连，在聚合物半导体芯片的集成度上实现新突破，集成度达到特大规模集成度水平。
英伟达官宣下一代AI芯片架构Rubin，加速迭代进程
6月2日，英伟达创始人兼首席执行官黄仁勋在台北国际电脑展（COMPUTEX）发表主题演讲。演讲中，黄仁勋宣布将在2025年推出Blackwell Ultra AI芯片。同时，其透露下一代AI平台名称为“Rubin”，该平台基于3nm制程打造，并采用8层HBM4内存，CoWoS-L封装，将于2026年发布。而其升级版Rubin Ultra将支持12层HBM4内存，计划于2027年推出。
芯动第三代半导体模组封测项目预计年底投产
据悉，该项目总投资8亿元，于2023年2月在无锡动工，用地27亩，建筑面积3.1万平方米，将建设年产120万块车规级功率器件模组项目，产品涵盖功率半导体模块、分立器件等，主要应用于新能源汽车、新能源绿电、充电桩、储能等领域
