SK海力士开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM

自SK海力士官网获悉,8月29日,SK海力士宣布,全球首次成功开发出采用第六代10纳米级(1c)工艺的16Gb DDR5 DRAM,将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备,从明年开始供应产品,引领半导体存储器市场发展。

天岳先进成功交付P型SiC衬底

据天岳先进官微消息,近日,天岳先进向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底,标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程,实现高端特高压功率器件国产化。

安森美与伍尔特电子携手升级高精度电力电子应用虚拟设计

功率损耗模型生成工具现已包含无源元件,可更精准地进行设计建模,帮助客户加快产品上市中国上海,2024年11月14日——安森美(onsemi)和伍尔特电子(Würth Elektronik)宣布,伍尔特电子的无源元件数据库已集成到安森美独特的PLECS®模型自助生成工具&n

安靠与台积电就先进封装展开合作

自Amkor官网获悉,10月3日,安靠(Amkor)和台积电(TSMC)宣布,双方已签署了一份谅解备忘录,将合作为亚利桑那州带来先进的封装和测试能力,其中包含InFO及CoWoS等技术,进一步扩大该地区的半导体生态系统。

无锡迪思高端掩模正式通线,首套90nm产品顺利交付

近日,无锡迪思微电子有限公司(以下简称“无锡迪思”)高端掩模项目完成关键设备安装调试,产线顺利贯通,并完成首套90nm高端掩模产品的生产与交付,标志着无锡迪思技术能力实现新跨越,向成为中国大陆技术、产能双领先的开放式掩模公司,又迈出坚实的一步。