聚焦光通信创新产品及技术，村田携多款产品登陆2023光博会
村田制作所是一家全球性的综合电子元器件制造商，主要从事以陶瓷为基础的电子元器件的开发、生产和销售业务。致力于通过自身开发积累的材料开发、工艺开发、商品设计、生产技术以及对它们提供支持的软件和分析评估等技术基础，创新产品，为电子社会的发展做出贡献
三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
据消息，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。
总投资35亿元，淄博芯材集成电路封装载板项目新进展
据消息，淄博芯材集成电路封装载板项目一期已于4月份建成投产，已具备线幅/宽15/15微米的FC-CSP（倒装芯片级封装）产品的批量生产能力，达到一张封装载板可容纳12层基板的工艺水平。
三星将使用内部4nm工艺量产下一代HBM4存储芯片
据报道，三星电子已决定使用内部4nm工艺制造下一代HBM4存储芯片中的逻辑芯片。逻辑芯片位于芯片堆栈的底部，是HBM芯片的核心组件之一。
三星电子任命半导体业务新负责人
三星电子公司已更换半导体业务负责人，任命一位存储芯片资深人士来领导，努力在人工智能（AI）领域追赶SK海力士。
工信部：开展车用芯片、操作系统、高精度传感器等技术攻关
4月19日至21日，工业和信息化部党组成员、副部长辛国斌在上海调研时表示，开展车用芯片、固态电池、操作系统、高精度传感器等技术攻关
汉源微与天工大联合实验室正式揭牌
据消息，日前，由广州汉源微电子封装材料有限公司和天津工业大学主办的“功率半导体模块封装关键材料与工艺联合实验室”揭牌仪式在天津工业大学成功举办。
阿斯麦前CEO：美对华限制基于意识形态 将尽可能就防止严厉出口限制进行游说
近日，荷兰半导体设备制造商阿斯麦公司前任首席执行官（CEO）彼得·温宁克接受荷兰BNR电台采访。
我国科研团队在下一代芯片领域取得新突破
7月22日消息，北京大学电子学院碳基电子学研究中心彭练矛-张志勇团队在下一代芯片技术领域取得重大突破，成功研发出世界首个基于碳纳米管的张量处理器芯片（TPU）。
SK会长会见台积电魏哲家，探讨AI芯片合作
据报道，6月6日，SK集团会长崔泰源（Choi Tae-won）会见台积电新任董事长魏哲家，并决定进一步加强两家公司的合作，以增强AI半导体的竞争力。
日本首台ASML EUV光刻机将运抵，用于Rapidus晶圆厂试产
据日媒报道，日本半导体代工企业Rapidus购入的第一台ASML EUV光刻机将于2024年12月中旬抵达北海道新千岁机场，这也将成为日本全国首台EUV光刻设备。
重庆三安8英寸碳化硅衬底已投产
据消息，三安光电3月12日在投资者互动平台透露，重庆三安8英寸碳化硅衬底已投产，目前产能为500片/周。
晶合集成光刻掩模版下线
据消息，今日，由晶合集成生产的安徽省首片半导体光刻掩模版成功亮相，不仅填补了安徽省在该领域的空白，进一步提升本土半导体产业的竞争力，更标志着晶合集成在晶圆代工领域成为台积电、中芯国际之后，可提供资料、光刻掩模版、晶圆代工全方位服务的综合性企业。
国际橡塑展闪耀开幕 规模再创新高，尽显看得见的新质生产力
四月的上海，生机盎然繁花盛开。备受瞩目的“CHINAPLAS 2024 国际橡塑展”今日拉开帷幕，将一连四天（4月23 - 26日）在国家会展中心（上海）盛装绽放
任正非：华为用三年时间完成超13000颗器件的替代开发
面对打压，华为用三年时间内完成13000+颗器件的替代开发、4000+电路板的反复换板开发……“直到现在我们电路板才稳定下来，因为我们有国产的零部件供应了。"
美国斥资110亿美元推动半导体领域技术研究
据外媒报道，美国政府近日宣布将斥资110亿美元设立专门的研发中心，推进半导体领域的相关研究。
苏州速通半导体完成新一轮融资，加速Wi-Fi6/6E/7商业化
据“耀途资本”官微消息，近日，苏州速通半导体科技有限公司（简称“速通半导体”）宣布完成数亿元人民币的新一轮战略融资，本轮投资者为泰凌微电子、SV Investment和道翼资本。
优晶科技8英寸电阻法SiC单晶生长设备通过技术鉴定
6月7日，苏州优晶半导体科技股份有限公司（以下简称“优晶科技”）宣布8英寸电阻法SiC单晶生长设备获行业专家认可，成功通过技术鉴定评审。
英飞凌上季度营收36.32亿欧元环比跌2% 将对雷根斯堡工厂软裁员
英飞凌近日公布了截至3月31日的2024财年第二财季财报。英飞凌上季度实现36.32亿欧元营收，环比下降2%，同比下降12%。
SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E内存 带宽为上代1.4倍
据消息，SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示，当前业界HBM技术已经到了新的水平，行业需求促使SK海力士将加速开发过程，最早在2026年推出HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。
