京蓝科技首条铟生产线成功投产
据消息，近日，京蓝科技控股子公司云南业胜环境资源科技有限公司（以下简称“云南业胜”）首条铟生产线成功投产。此次投产标志着京蓝科技在绿色冶金领域迈出了重要一步。
英特尔计划与日本AIST合作建立芯片研究中心
据日经新闻报道，英特尔将与日本国家先进产业科学技术研究所（AIST）合作，在日本建立先进半导体制造设备和材料研发(R&D)中心，预计将在3-5年内完成，并引进ASML极紫外线光刻（EUV）设备。
台积电预计2027年实现CoW-SoW量产
据台媒报道，为了应对大芯片趋势及AI负载对更多HBM的需求，台积电计划将InFO-SoW与SoIC结合，形成CoW-SoW，将存储器或逻辑芯片堆叠在晶圆上，并预计在2027年开始量产。
三星计划2026年推出最后一代10nm级工艺1d nm
据多方媒体报道，日前，三星电子DS部门存储器业务总裁兼总经理李祯培在活动时公开展示了三星未来内存产品路线图。
中科飞测华中研发生产总部项目落户武汉新城
据中国光谷官微消息，9月5日，半导体质量控制设备商深圳中科飞测科技股份有限公司（简称“中科飞测”）与东湖高新区签订合作协议，中科飞测华中研发生产总部项目落户武汉新城。
三安半导体与虹安微电子加强SiC合作
据三安半导体官微消息，9月5日，三安半导体与虹安微电子在湖南长沙签署战略合作协议，旨在加强双方在SiC领域的合作，推动产能保障和技术支持，共同应对新能源汽车、光储充等市场需求。
国家大基金一期入股EDA公司鸿芯微纳
据天眼查消息，近日，深圳鸿芯微纳技术有限公司发生工商变更，新增深圳市引导基金投资有限公司、国家集成电路产业投资基金股份有限公司（大基金一期）、鸿芯创投（深圳）企业（有限合伙）为股东。
SK海力士预计9月底量产12层HBM3E内存
据媒体报道，9月4日，SK海力士社长金柱善（Kim Ju Seon）在演讲中表示，其8层HBM3E产品已是市场上最具领导地位的产品，并将于本月底开始量产12层HBM3E。
英特尔3nm以下制程或将交由台积电代工
据台媒报道，英特尔晶圆代工业务发展受阻，据悉已将3nm以下制程全面委由台积电代工，并进行全球裁员15%计划。
