三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料

据消息,三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料,并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利,将能够在特定条件下表现出铁电性,有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期,3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。​

ASML:3D整合将成为2D收缩日益重要的补充技术

据媒体报道,3月5日,ASML发布2024年度报告,首席执行官克里斯托弗·福凯(Christophe Fouquet)表示,如果展望ASML的未来增长,光刻技术无疑仍然是摩尔定律的主要驱动力之一,相信这一点在未来许多年里依然成立。