美国将向Absolics发放7500万美元先进芯片封装补贴
美国商务部表示，计划向Absolics拨款7500万美元，用于在佐治亚州建造一座12万平方英尺的工厂，为该国的半导体行业供应先进材料。
三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
据消息，三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。
三星电子工会宣布发起全国大罢工
有媒体报道称，韩国韩国科技大厂三星电子工会今天宣布发起全国大罢工，并表示在改善薪酬和休假福利等要求得到满足前，将会持续奋战。
倒计时5天丨2024慕尼黑华南电子展同期论坛议程大全
慕尼黑华南电子展(electronica South China)将于2024年10月14-16日在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办。
SK海力士一季度运营利润远高于预期
据消息，SK海力士一季度季销售额12.43万亿韩元，分析师预期12.11万亿韩元；一季度运营利润2.89万亿韩元，分析师预期1.8万亿韩元；
中国科学家在半导体领域获突破
近日，中国科学院大学教授周武课题组与山西大学教授韩拯课题组、辽宁材料实验室副研究员王汉文课题组、中山大学教授侯仰龙课题组、中国科学院金属研究所研究员李秀艳课题组等合作，提出了一种全新的基于界面耦合的p型掺杂二维半导体方法。
英伟达GB200供不应求 追单日月光、京元电等封测厂
据消息，英伟达GB200与B系列人工智能芯片获得客户大量导入，先前大举追加台积电先进制程投片量后，追单效应蔓延至后段封测厂，日月光投控、京元电运营大爆发。消息人士透露，京元电来自英伟达添加订单爆满，还需为此挪移更多产能才能满足英伟达需求。
新思科技与Arm强强联手，加快下一代移动SoC开发
新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，基于Arm 2023全面计算解决方案（TCS23），加强双方在人工智能增强型设计方面的合作
三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
据消息，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。
