嘉兴斯达拟投15亿元建设12英寸功率产线
自南湖区政府官网公告获悉，近日，嘉兴斯达微电子有限公司年产18万片12英寸高性能车规级快恢复二极管芯片生产线建设项目环评文件获批并公示。
事关存储器，华为公布新专利
国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司于4月9日申请公布一项名为“存储器、电子设备”的专利，公布号为CN117858494A。
欧盟批准430亿欧元芯片补贴计划：2030年产量占全球份额翻番
当地时间4月18日，欧盟批准涉及430亿欧元（约合470 亿美元）补贴的“欧盟芯片法案（The EU Chips Act）”，以期大幅增加当地的芯片生产并为成员国带来先进的制造工艺
信越化学计划在日本新建半导体材料工厂
信越化学将在日本国内兴建一座全新的工厂，将投资约800亿日圆在群马县伊势崎市开工建设，预计于2026年完工，主要生产半导体材料光阻剂。
事关售华芯片，美方最新表态
12月12日报道，美国商务部长雷蒙多表示，美国政府正与英伟达讨论允许向中国销售AI芯片的议题，但强调英伟达不能把最先进的芯片卖给中企
安徽125亿元新一代信息技术产业母基金落地
产业基金将为合肥经开区新一代信息技术产业发展提供资金、技术和项目资源支持，为抢占产业竞争制高点注入强劲动力，后续将通过基金投资覆盖支持产业集聚发展，助力合肥市和安徽省产业发展战略
Marvell公布首款2nm IP验证芯片，采用台积电N2制程
据媒体报道，当地时间3月3日，Marvell（美满电子）公布了其首款 2nm IP 验证芯片。该芯片采用台积电N2制程，是Mavell基于该节点开发定制AI XPU、交换机和其它芯片的基石。据悉，Marvell表示其2nm平台可为超大型企业显著提升算力基础设施的性能与效率，从而满足AI时代对这两项参数的需求。此外，Marvell还面向芯粒垂直3D堆叠场景推出了运行速度可达6.4Gbit/s的3D同步双向I/O。对比目前主流的单向互联，该I/O IP实现了更高的带宽密度。
大摩：三星HBM4技术将外包给台积电
大摩半导体产业分析师詹家鸿指出，三星预计在2026年将其HBM4基底技术外包给台积电，并采用12nm/6nm制程。 台积电面临强劲需求的情况下，正积极进行产能扩张，预计在2025年将资本支出增加至380亿美元。
SK海力士加快16层HBM3E量产进度
据韩媒报道，SK海力士已开始准备量产HBM3E 16层产品，新工艺设备正在引进和测试，现有设备也在优化和维护以适应新产品，主要工艺测试结果也正在顺利出炉，为明年初的出样乃至2025上半年的大规模量产与供应打下基础。
2023中国西部半导体及集成电路产业博览会暨“两链”融合创新发展论坛（CWIC2023）5月将在西安举办
2023中国西部半导体及集成电路产业博览会暨“两链”融合创新发展论坛”（CWIC2023）将于2023年5月25-27在西安国际会展中心隆重召开
