三星:未来十年单颗SSD的容量可达1PB

据三星半导体消息,三星预计,在未来十年单颗SSD的容量可达1PB(一千万亿字节)。三星表示,基于3D制造工艺的NAND闪存产品的数据存储能力正在不断提高,这种演变发生在物理缩放技术、逻辑缩放技术、32DIE堆叠封装三个领域

SK海力士开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM

自SK海力士官网获悉,8月29日,SK海力士宣布,全球首次成功开发出采用第六代10纳米级(1c)工艺的16Gb DDR5 DRAM,将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备,从明年开始供应产品,引领半导体存储器市场发展。

安森美与伍尔特电子携手升级高精度电力电子应用虚拟设计

功率损耗模型生成工具现已包含无源元件,可更精准地进行设计建模,帮助客户加快产品上市中国上海,2024年11月14日——安森美(onsemi)和伍尔特电子(Würth Elektronik)宣布,伍尔特电子的无源元件数据库已集成到安森美独特的PLECS®模型自助生成工具&n