152亿美元，印度批准三大半导体制造商建厂
3月1日，印度电子和信息技术部部长阿什维尼·维什瑙宣布，印度政府批准价值152亿美元的半导体制造厂投资计划，其中涵盖三大半导体厂的建设
ASMPT与美光联合开发下一代HBM4键合设备
据报道，韩国后端设备制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高带宽内存 (HBM) 生产的演示热压 (TC) 键合机。双方已开始联合开发下一代键合机，用于HBM4生产。美光还从日本新川半导体和韩美半导体采购TC键合机，用于生产HBM3E，于今年4月向韩美半导体提供了价值226亿韩元的TC Bonder采购订单。
国芯科技：基于RISC-V架构的边缘侧AI MCU新产品内测成功
据消息，国芯科技8月15日晚间发布公告称，近日，公司研发的基于 RISC-V 架构的边缘侧 AI MCU 新产品“CCR4001S”于内部测试中获得成功。
扬杰科技：拟10亿元投建6英寸碳化硅晶圆生产线项目
按照计划，前述项目将分两期建设，全部建成投产后，形成碳化硅6英寸晶圆产能5000片/月
铠侠目标2027年3D NAND闪存实现1000层堆叠
据外媒报道，近期，铠侠（Kioxia）公布了其3D NAND闪存技术路线图，目标在2027年实现1000层堆叠。
Counterpoint：台积电2nm制程量产将延迟至2026年底
Counterpoint最新报告指出，预期台积电3nm旗舰智能手机应用将在2024年下半年成长，但2nm制程量产将延迟至2026年底，届时将随着苹果iPhone18系列的推出而登场。
芯联集成拟对子公司增资38.5亿元，加码数模混合芯片项目
计划在三期12英寸中试项目的基础上，实施量产项目，预计在未来两到三年内合计形成投资222亿元人民币、10万片/月产能规模的中芯绍兴三期12英寸数模混合集成电路芯片制造项目
上海交通大学无锡光子芯片研究院与香港大学香港量子研究院签约
6月27日，上海交通大学无锡光子芯片研究院与香港大学香港量子研究院签约仪式举行，在先进光子学和量子学及相关领域搭建研究合作桥梁。
复旦大学团队成功研制硅光集成高阶模式复用器芯片
据科技日报消息，日前，复旦大学信息科学与工程学院张俊文研究员、迟楠教授与相关研究团队开展合作，通过精确设计和优化，将多维复用技术引入片上光互连架构，不仅显著提升了数据传输吞吐量，同时在功耗和延迟方面表现卓越，具备极强的扩展性和兼容性，适用于多种高性能计算场景。
