三星电子完成1c纳米DRAM内存工艺开发，准备向量产转移
据韩媒报道，日前，三星电子对其第六代10nm级DRAM内存工艺1c纳米授予生产准备批准 (PRA)。这标志着三星完成1c nm内存开发，准备向量产转移。
台积电确认熊本第二晶圆厂建设延期
据报道，在6月3日的台积电年度股东常会上，台积电董事长兼总裁魏哲家确认在日控股子公司JASM的第二晶圆厂项目动工出现略微延迟。
总投资200亿，士兰微12英寸高端模拟芯片制造生产线项目（一期）预计年底动工
日前，厦门士兰微项目总指挥朱利荣透露，总投资200亿元的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目，一期计划于今年底动工。
时代电气三期株洲SiC产线有望年底拉通
近日，时代电气在披露的投资者关系活动记录表中提到，公司三期株洲产线（SiC产线）有望在2025年底实现产线拉通。
日月光宣布中坜、楠梓再扩产，布局先进封测
据台媒报道，11月24日，日月光宣布，子公司日月光半导体董事会通过两项重大不动产与扩厂决议
